NVMFD5C680NLT1G

onsemi
863-NVMFD5C680NLT1G
NVMFD5C680NLT1G

制造商：

说明：
MOSFET T6 60V LL S08FL DS

寿命周期:
NRND:
不建议用于新设计。
数据表:
ECAD模型:
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库存量: 171

库存：
171
可立即发货
在途量:
3,000
预期 2026/8/4
生产周期：
52
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥24.6679 ¥24.67
¥15.8087 ¥158.09
¥10.7689 ¥1,076.89
¥9.1191 ¥4,559.55
¥8.1134 ¥8,113.40
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
¥8.1134 ¥12,170.10
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
SO-8FL-Dual-8
N-Channel
2 Channel
60 V
26 A
23 mOhms, 23 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
5 nC
- 55 C
+ 175 C
19 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: onsemi
配置: Dual
下降时间: 23 ns, 23 ns
正向跨导 - 最小值: 50 S, 50 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 25 ns, 25 ns
系列: NVMFD5C680NL
工厂包装数量: 1500
子类别: Transistors
晶体管类型: 2 N-Channel
典型关闭延迟时间: 13 ns, 13 ns
典型接通延迟时间: 6.4 ns, 6.4 ns
单位重量: 161.193 mg
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
马来西亚
组装原产国/地区:
马来西亚
发货时，国家/地区可能会发生变化。

Trench6 N沟道MV MOSFET

安森美（onsemi）Trench6 N沟道MV MOSFET是采用先进的功率沟槽工艺（结合屏蔽栅极技术）生产的30V、40V和60V MOSFET。该工艺经过优化，可最大限度地降低导通电阻，另外还采用出色的软体二极管，可保持卓越的开关性能。

NVMFD5C功率MOSFET

安森美半导体NVMFD5C功率MOSFET符合AEC-Q101标准和生产件批准程序 (PPAP)，适合用于汽车应用。NVMFD5C MOSFET具有低导通电阻，可最大限度地降低导通损耗，另外还具有低总栅极电荷 (QG) 和低电容，可将驱动器损耗降到最低。这些功率MOSFET经100%雪崩测试，并具有可湿侧面选项，用于增强型光学检测。

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