中国
A2T08VD020NT1
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841-A2T08VD020NT1
A2T08VD020NT1
制造商：
说明：
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 2 W Avg., 48 V
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 2 W Avg., 48 V
寿命周期:
寿命结束:
将过时且制造商将停产。
合规代码
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8542330001
- JPHTS:
- 8541290100
- KRHTS:
- 8541299000
- TARIC:
- 8541290000
- MXHTS:
- 85412999
- ECCN:
- EAR99
原产地分类
- 原产国:
- 韩国
- 组装原产国/地区:
- 韩国
- 扩散国家:
- 美国
供货情况
-
库存：
-
无库存出现意外错误。请稍候重试。
-
生产周期：
-
53 周 预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。