功率MOSFET和IGBT中的最新技术

STMicroelectronics为功率MOSFET和IGBT提供最新技术。ST提供各种MOSFET和IGBT组合，满足SMPS、照明、电机控制和各种工业应用的特定需要。ST的产品组合包括高压超结MOSFET和沟槽式栅极场终止IGBT（用于硬开关和软开关拓扑）和低压沟槽式MOSFET（用于电源转换和BLDC电机驱动器）。ST的最新款1200V SiC MOSFET具有业内最高的额定结温 (200°C)，超小RDS(on) 区域（ 随温度变化非常小）以及出色的开关性能，从而实现更有效和更紧凑的SMPS设计。对于电机控制，M系列IGBT具有经过优化的VCE(SAT) 和 E (off) 平衡以及超高的短路额定值。了解ST出品的用于任何电源设计的全系列MOSFET和IGBT产品。

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封装 / 箱体
STMicroelectronics MOSFET模块 N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa
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760库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFET Modules Si Screw Mount ISOTOP
STMicroelectronics MOSFET N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3
数据表
38,107库存量
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最低： 1
倍数： 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-3.3x3.3-8
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5
数据表
2,439库存量
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最低： 1
倍数： 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5
数据表
840库存量
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最低： 1
倍数： 1
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5
数据表
2,621库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5
数据表
1,723库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5A MDmesh K5
数据表
884库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.290 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H
数据表
3,711库存量
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最低： 1
倍数： 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.186Ohm typ. 18A MDmesh M2
数据表
5,999库存量
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最低： 1
倍数： 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 100V 0.0036Ohm typ. 110A
数据表
5,000库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650 Volt 33 Amp
数据表
476库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
数据表
1,439库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 100V 0.027 Ohm typ. 8A STripFET VII
数据表
5,144库存量
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最低： 1
倍数： 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 100V 6mOhm 110A STripFET VII
数据表
1,816库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
数据表
1,718库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 46A Auto 0.041 Ohm MDMesh M5
数据表
1,060库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
数据表
757库存量
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最低： 1
倍数： 1
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
数据表
3,053库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V
数据表
1,667库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, 650 V, 50 A soft switching IH series in a TO-247 lo
数据表
933库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 100 V, 3,4mOhm typ., 110 A, STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pack
数据表
产品评论
1,000库存量
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最低： 1
倍数： 1
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2
STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET i
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841库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800 V 0.76 Ohm 4.5 A Zener-protec
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1,961库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 280 mOhm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
数据表
5,585库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800 V 0.37 Ohm 12 A Zener-protect
数据表
1,252库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3