功率MOSFET和IGBT中的最新技术

STMicroelectronics为功率MOSFET和IGBT提供最新技术。ST提供各种MOSFET和IGBT组合,满足SMPS、照明、电机控制和各种工业应用的特定需要。ST的产品组合包括高压超结MOSFET和沟槽式栅极场终止IGBT(用于硬开关和软开关拓扑)和低压沟槽式MOSFET(用于电源转换和BLDC电机驱动器)。ST的最新款1200V SiC MOSFET具有业内最高的额定结温 (200°C),超小RDS(on) 区域( 随温度变化非常小)以及出色的开关性能,从而实现更有效和更紧凑的SMPS设计。对于电机控制,M系列IGBT具有经过优化的VCE(SAT) 和 E (off) 平衡以及超高的短路额定值。了解ST出品的用于任何电源设计的全系列MOSFET和IGBT产品。

分离式半导体类型

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结果: 309
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS 产品类型 技术 安装风格 封装 / 箱体
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5 2,439库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5
STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 0.013Ohm 12A VII DeepGate 26,433库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFET模块 N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa 774库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFET Modules Si Screw Mount ISOTOP
STMicroelectronics MOSFET N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3 38,190库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-3.3x3.3-8
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5 840库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5 757库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package 3,082库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V 1,671库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag 1,156库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, 650 V, 50 A soft switching IH series in a TO-247 lo 983库存量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 1,567库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5

STMicroelectronics MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V 22 A 610库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 280 mOhm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package 5,823库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 950V 0.65Ohm typ 8A Zener-protect 1,051库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 65V 12A MDMESH 5,782库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package 944库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pac 907库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2 2,256库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-251-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2 2,428库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package 3,857库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5 2,625库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5 1,723库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5A MDmesh K5 914库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.290 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H 3,706库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.186Ohm typ. 18A MDmesh M2 6,000库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5