功率MOSFET和IGBT中的最新技术

STMicroelectronics为功率MOSFET和IGBT提供最新技术。ST提供各种MOSFET和IGBT组合,满足SMPS、照明、电机控制和各种工业应用的特定需要。ST的产品组合包括高压超结MOSFET和沟槽式栅极场终止IGBT(用于硬开关和软开关拓扑)和低压沟槽式MOSFET(用于电源转换和BLDC电机驱动器)。ST的最新款1200V SiC MOSFET具有业内最高的额定结温 (200°C),超小RDS(on) 区域( 随温度变化非常小)以及出色的开关性能,从而实现更有效和更紧凑的SMPS设计。对于电机控制,M系列IGBT具有经过优化的VCE(SAT) 和 E (off) 平衡以及超高的短路额定值。了解ST出品的用于任何电源设计的全系列MOSFET和IGBT产品。

分离式半导体类型

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结果: 309
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS 产品类型 技术 安装风格 封装 / 箱体

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2 375库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2 674库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2 600库存量
1,800预期 2027/1/29
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-channel 950 V, 0.110 Ohm typ., 38 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package 2库存量
2,400在途量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package 529库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5 1,193库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package 208库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650 V 0.024 Ohm 84 A MDmesh(TM) 48库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.014 Ohm Mdmesh M5 130A 1库存量
600预期 2026/8/6
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole Max247-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650 V 0.012 Ohm 138 A MDmesh M5 6库存量
4,200在途量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole Max247-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220 package
3,744在途量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V 0.3Ohm 14A pwr MOSFET
10,173在途量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2 66库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V 0.3Ohm 14A pwr MOSFET 14库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 500 V, 0.24 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag 654库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package 191库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop 162库存量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 950 V, 0.65 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
5,798预期 2026/7/30
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics MOSFET N-CH 800V 0.37Ohm 12A MDmesh K5
831预期 2027/4/30
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.024 Ohm typ., 88 A MDmesh M5 Power MOSFET in a ISOTOP package
318在途量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si SMD/SMT ISOTOP-4
STMicroelectronics MOSFET N-ch 650 V 0.168 Ohm 18 A MDmesh M5
4,000在途量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed
3,817在途量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
3,600在途量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
1,200预期 2027/4/30
最低: 1
倍数: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 100 V, 3,4mOhm typ., 110 A, STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pack
1,000预期 2026/8/13
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2