功率MOSFET和IGBT中的最新技术

STMicroelectronics为功率MOSFET和IGBT提供最新技术。ST提供各种MOSFET和IGBT组合，满足SMPS、照明、电机控制和各种工业应用的特定需要。ST的产品组合包括高压超结MOSFET和沟槽式栅极场终止IGBT（用于硬开关和软开关拓扑）和低压沟槽式MOSFET（用于电源转换和BLDC电机驱动器）。ST的最新款1200V SiC MOSFET具有业内最高的额定结温 (200°C)，超小RDS(on) 区域（ 随温度变化非常小）以及出色的开关性能，从而实现更有效和更紧凑的SMPS设计。对于电机控制，M系列IGBT具有经过优化的VCE(SAT) 和 E (off) 平衡以及超高的短路额定值。了解ST出品的用于任何电源设计的全系列MOSFET和IGBT产品。

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封装 / 箱体
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.475 Ohm typ., 8.5 A MDmesh M5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x5
数据表
3,000预期 2027/5/7
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最低： 1
倍数： 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x5-12
STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 0.009Ohm 16A STripFET VII
数据表
2,987预期 2026/12/11
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 100V 0.0036Ohm typ. 110A
数据表
5,000在途量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5
数据表
2,000预期 2027/7/30
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 80 V 2.1 mOhm 180 A STripFET VI DG
数据表
1,000预期 2026/10/23
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2
数据表
1,988预期 2027/3/26
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
数据表
1,690预期 2027/2/5
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 950V 1Ohm 9A pwr MDmesh K5
数据表
3,000预期 2026/10/2
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-251-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5
数据表
570预期 2026/8/3
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650 V 0.033 Ohm 69 A MDmesh(TM)
数据表
257预期 2026/8/17
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag
数据表
143库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packa
数据表
631库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 65V 33A MDMESH
数据表
31库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected
数据表
707库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3


STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT
数据表
280库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3PF
STMicroelectronics MOSFET N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected
数据表
451库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
数据表
产品评论
903库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 3.5 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package
数据表
产品评论
130库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-251-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
数据表
127库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-251-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
数据表
1,950预期 2026/8/17
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最低： 1
倍数： 1
: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 40A Trench Gate Field-Stop IGBT
数据表
600预期 2026/8/31
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3


STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
数据表
600预期 2026/7/31
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole

STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
数据表
444预期 2026/8/21
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-chanl 80 V 33 mOhm typ 90 A Pwr MOSFET
数据表
997预期 2026/8/28
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5
数据表
无库存交货期 18 周
最低： 1,000
倍数： 1,000
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)