功率MOSFET和IGBT中的最新技术

STMicroelectronics为功率MOSFET和IGBT提供最新技术。ST提供各种MOSFET和IGBT组合，满足SMPS、照明、电机控制和各种工业应用的特定需要。ST的产品组合包括高压超结MOSFET和沟槽式栅极场终止IGBT（用于硬开关和软开关拓扑）和低压沟槽式MOSFET（用于电源转换和BLDC电机驱动器）。ST的最新款1200V SiC MOSFET具有业内最高的额定结温 (200°C)，超小RDS(on) 区域（ 随温度变化非常小）以及出色的开关性能，从而实现更有效和更紧凑的SMPS设计。对于电机控制，M系列IGBT具有经过优化的VCE(SAT) 和 E (off) 平衡以及超高的短路额定值。了解ST出品的用于任何电源设计的全系列MOSFET和IGBT产品。

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数量 RoHS 产品类型
技术
安装风格
封装 / 箱体
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
数据表
无库存交货期 18 周
最低： 1,000
倍数： 1,000

MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAK package
数据表
无库存交货期 18 周
最低： 1,000
倍数： 1,000
MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAK package
数据表
无库存交货期 18 周
最低： 1,000
倍数： 1,000

MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in an I2PAK package
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 1,000
倍数： 1,000

MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 1.26Ohm typ. 3.7A MDmesh M2
数据表
无库存交货期 18 周
最低： 2,000
倍数： 1,000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
数据表
无库存交货期 18 周
最低： 2,000
倍数： 1,000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 950V .28Ohm typ 17.5A Zener-protect
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 600
倍数： 600

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 0.037Ohm 58A
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 600
倍数： 600

MOSFETs Si Through Hole TO-247-4

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650 V 0.056 Ohm 42 A Mdmesh
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 600
倍数： 600

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3