功率MOSFET和IGBT中的最新技术

STMicroelectronics为功率MOSFET和IGBT提供最新技术。ST提供各种MOSFET和IGBT组合，满足SMPS、照明、电机控制和各种工业应用的特定需要。ST的产品组合包括高压超结MOSFET和沟槽式栅极场终止IGBT（用于硬开关和软开关拓扑）和低压沟槽式MOSFET（用于电源转换和BLDC电机驱动器）。ST的最新款1200V SiC MOSFET具有业内最高的额定结温 (200°C)，超小RDS(on) 区域（ 随温度变化非常小）以及出色的开关性能，从而实现更有效和更紧凑的SMPS设计。对于电机控制，M系列IGBT具有经过优化的VCE(SAT) 和 E (off) 平衡以及超高的短路额定值。了解ST出品的用于任何电源设计的全系列MOSFET和IGBT产品。

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STMicroelectronics MOSFET N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected
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3,878库存量
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: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 100 V 2.1 mOhm 180 A STripFET
数据表
1,245库存量
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最低： 1
倍数： 1
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-7
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V 3.7Ohm typ 2A Zener-protected
数据表
5,323库存量
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最低： 1
倍数： 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 950V .65Ohm typ 8A Zener-protected
数据表
1,575库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 550V 0.18 Ohm 13A Mdmesh M5
数据表
2,043库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2
数据表
2,924库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-251-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
数据表
446库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.031Ohm typ. 68A MDmesh M2
数据表
565库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 950V .275Ohm 17.5A Zener-protect
数据表
599库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
数据表
757库存量
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最低： 1
倍数： 1
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
数据表
3,082库存量
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最低： 1
倍数： 1
: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V
数据表
1,671库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag
数据表
1,156库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, 650 V, 50 A soft switching IH series in a TO-247 lo
数据表
983库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
数据表
1,567库存量
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倍数： 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5

STMicroelectronics MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V 22 A
数据表
610库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2
数据表
2,428库存量
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最低： 1
倍数： 1
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
数据表
3,857库存量
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最低： 1
倍数： 1
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5
数据表
2,625库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5
数据表
1,723库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5A MDmesh K5
数据表
914库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.290 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H
数据表
3,706库存量
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最低： 1
倍数： 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.186Ohm typ. 18A MDmesh M2
数据表
6,000库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650 Volt 33 Amp
数据表
505库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
数据表
2,500库存量
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最低： 1
倍数： 1
: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)