功率MOSFET和IGBT中的最新技术

STMicroelectronics为功率MOSFET和IGBT提供最新技术。ST提供各种MOSFET和IGBT组合，满足SMPS、照明、电机控制和各种工业应用的特定需要。ST的产品组合包括高压超结MOSFET和沟槽式栅极场终止IGBT（用于硬开关和软开关拓扑）和低压沟槽式MOSFET（用于电源转换和BLDC电机驱动器）。ST的最新款1200V SiC MOSFET具有业内最高的额定结温 (200°C)，超小RDS(on) 区域（ 随温度变化非常小）以及出色的开关性能，从而实现更有效和更紧凑的SMPS设计。对于电机控制，M系列IGBT具有经过优化的VCE(SAT) 和 E (off) 平衡以及超高的短路额定值。了解ST出品的用于任何电源设计的全系列MOSFET和IGBT产品。

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STMicroelectronics MOSFET N-channel 80 V, 0.0028 Ohm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pac
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61库存量
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: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2
STMicroelectronics MOSFET N-CH 80V 17mOhm 180A STripFET VII
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129库存量
1,000预期 2027/2/26
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: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-7
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600 V 0.168 Ohm 18 A MDmesh M2
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189库存量
1,000预期 2027/5/14
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.29 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
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998库存量
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: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 0.020Ohm 10A STripFET VII
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511库存量
3,000预期 2026/8/13
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: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFET N-channel 100 V, 0.027 Ohm typ., 7 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3
数据表
611库存量
6,000预期 2026/8/13
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倍数： 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-3.3x3.3-8
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1050 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220 package
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269库存量
1,000预期 2026/8/28
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
数据表
产品评论
517库存量
1,000预期 2027/4/23
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
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395库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
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940库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
数据表
558库存量
1,000预期 2027/1/29
最低： 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 100V 2.5mOhm 180A STripFET VII
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79库存量
1,000预期 2026/12/4
最低： 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5 A MDmesh K5
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469库存量
1,000预期 2027/1/8
最低： 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
数据表
403库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected
数据表
239库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2
数据表
523库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
数据表
203库存量
1,000预期 2027/4/23
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
数据表
400库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected
数据表
898库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
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457库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5
数据表
507库存量
1,000预期 2026/9/18
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected
数据表
72库存量
3,000预期 2026/8/13
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-251-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 950V .65Ohm typ 8A Zener-protected
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393库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
数据表
376库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.198 Ohm 15A MDmesh FET
数据表
577库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3