NTP360N80S3Z

Name: onsemi NTP360N80S3Z
Brand: onsemi
SKU: 863-NTP360N80S3Z
Price: 33.89 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

863-NTP360N80S3Z

制造商编号：

NTP360N80S3Z

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET SF3 800V 360MOHM TO-220

数据表:

NTP360N80S3Z 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解onsemi NTP360N80S3Z详情

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	800 V
Id-连续漏极电流:	13 A
Rds On-漏源导通电阻:	360 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.8 V
Qg-栅极电荷:	25.3 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	96 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Tube
商标:	onsemi
产品类型:	MOSFETs
系列:	NTP360N80S3Z
工厂包装数量:	50
子类别:	Transistors

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

NTP360N80S3Z 数据表 (PDF)

PCN

Material Composition Disclosure

合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

SuperFET® III MOSFET

安森美(onsemi) SuperFET® III MOSFET是高压超结 (SJ) N沟道MOSFET，旨在满足电信、服务器、电动汽车 (EV) 充电器和太阳能产品的高功率密度、系统效率和超高可靠性要求。此系列器件拥有出色的可靠性、低电磁干扰、超高的效率和卓越的热性能，是高性能应用的理想选择。除高性能外，SuperFET III MOSFET还通过丰富的封装选项为产品设计师提供高度的灵活性，特别是在尺寸受限的设计中。

NTP360N80S3Z SUPERFET® III MOSFET

安森美半导体NTP360N80S3Z SUPERFET® III MOSFET是一款高性能MOSFET，具有800V击穿电压 (V_{BR (DSS)})。此SUPERFET优化用于反激式转换器的一次开关，可降低开关损耗和外壳温度，而不影响EMI性能。安森美半导体NTP360N80S3Z SUPERFET III设有内部齐纳二极管，可显著提高静电放电 (ESD) 能力。典型应用包括适配器/充电器、LED照明、辅助电源、音频和工业电源。