1200V SiC MOSFET
Nexperia 1200V SiC MOSFET采用QDPAK(顶部冷却)封装,专为需要高能效、大功率密度和稳健散热性能的汽车和工业电源转换系统而设计。 此系列器件将SiC切换性能与顶部冷却封装架构相结合,提供直接的裸片到散热器散热路径。这减少了对PCB热扩散的依赖,支持在紧凑型设计中采用更简单、更有效的冷却概念。典型应用包括EV车载充电器、DC-DC转换器、牵引和辅助逆变器、EV充电基础设施、可再生能量系统以及大功率AC-DC/DC-DC转换。
Nexperia 1200V SiC MOSFET采用QDPAK(顶部冷却)封装,专为需要高能效、大功率密度和稳健散热性能的汽车和工业电源转换系统而设计。 此系列器件将SiC切换性能与顶部冷却封装架构相结合,提供直接的裸片到散热器散热路径。这减少了对PCB热扩散的依赖,支持在紧凑型设计中采用更简单、更有效的冷却概念。典型应用包括EV车载充电器、DC-DC转换器、牵引和辅助逆变器、EV充电基础设施、可再生能量系统以及大功率AC-DC/DC-DC转换。