1200V SiC MOSFET

Nexperia 1200V SiC MOSFET采用QDPAK(顶部冷却)封装,专为需要高能效、大功率密度和稳健散热性能的汽车和工业电源转换系统而设计。 此系列器件将SiC切换性能与顶部冷却封装架构相结合,提供直接的裸片到散热器散热路径。这减少了对PCB热扩散的依赖,支持在紧凑型设计中采用更简单、更有效的冷却概念。典型应用包括EV车载充电器、DC-DC转换器、牵引和辅助逆变器、EV充电基础设施、可再生能量系统以及大功率AC-DC/DC-DC转换。

结果: 4
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式
Nexperia 碳化硅MOSFET NSF017120T1A0/SOT8114/QDPAK 195库存量
剪切带
¥175.4438
¥131.0235
¥113.3164
¥110.514
卷轴
¥101.4062
最低: 1
倍数: 1
: 800
SMD/SMT QDPAK-22 1 Channel 1.2 kV 111 A 26 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 196 nC - 55 C + 175 C 469 W Enhancement
Nexperia 碳化硅MOSFET NSF040120L3A0/SOT429-2/TO247-3 202库存量
¥134.9898
¥117.6217
¥59.6414
¥56.50
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 66 A 60 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 84 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement
Nexperia 碳化硅MOSFET NSF080120L3A0/SOT429-2/TO247-3 83库存量
¥73.6986
¥40.2054
¥34.1599
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 36 A 120 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 44 nC - 55 C + 175 C 202 W Enhancement
Nexperia 碳化硅MOSFET NSF040120L4A1/SOT8071/TO247-4L
445预期 2027/2/12
剪切带
¥94.2081
¥68.1616
卷轴
¥68.1616
¥56.7486
¥50.5449
¥47.3131
最低: 1
倍数: 1
: 30
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 53 A 60 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 81 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement