eMode GaN FET

Nexperia eMode GaN FET的电压范围为100V至650V,具有出色的开关性能。这些GaN FET具有较低的QC和QOSS参数,可实现快速的转换能力,从而获得出色的电源转换效率。

结果: 18
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 技术
Nexperia GaN 场效应晶体管 GAN140-650EBE/SOT8074/DFN8080- 1,756库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms 1.2 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement GaN
Nexperia GaN 场效应晶体管 GANE140-700BBA/SOT428/DPAK 2,405库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 17 A 140 mOhms 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement GaN
Nexperia GaN 场效应晶体管 GANE190-700BBA/SOT428/DPAK 2,393库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 11.5 A 190 mOhms 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 84 W Enhancement GaN
Nexperia GaN 场效应晶体管 GANE350-650FBA/SOT8075/DFN5060 1,881库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-5 P-Channel 1 Channel 650 V 6 A 350 mOhms 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 65 W Enhancement GaN
Nexperia GaN 场效应晶体管 GANE350-700BBA/SOT428/DPAK 2,329库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 6 A 350 mOhms 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement GaN
Nexperia GaN 场效应晶体管 GAN080-650EBE/SOT8074/DFN8080- 1,882库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement GaN
Nexperia GaN 场效应晶体管 GAN190-650FBE/SOT8075/DFN5060- 2,302库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement GaN
Nexperia GaN 场效应晶体管 GAN3R2-100CBE/SOT8072/WLCSP8 857库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

SMD/SMT WLCSP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 3.2 mOhms - 6 V, + 6 V 2.5 V 12 nC - 40 C + 150 C 394 W Enhancement GaN
Nexperia GaN 场效应晶体管 GAN7R0-150LBE/SOT8073/FCLGA 2,137库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

SMD/SMT FCLGA-3 N-Channel 1 Channel 150 V 28 A 7 mOhms - 6 V, + 6 V 2.1 V 7.6 nC - 40 C + 150 C 28 W Enhancement GaN
Nexperia GaN 场效应晶体管 GANE240-700BBA/SOT428/DPAK 2,488库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 10 A 240 mOhms 7 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement GaN
Nexperia GaN 场效应晶体管 GAN190-650EBE/SOT8074/DFN8080- 566库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement GaN
Nexperia GaN 场效应晶体管 GAN140-650FBE/SOT8075/DFN5060- 52库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement GaN
Nexperia GaN 场效应晶体管 GANC035-650TBH/SOT8136/TOLL

Nexperia GaN 场效应晶体管 GANC035-650UTH/SOT8155/TOLT

Nexperia GaN 场效应晶体管 GANC035-650VSH/SOT8071/TO247-4

Nexperia GaN 场效应晶体管 GANC070-650TBH/SOT8136/TOLL

Nexperia GaN 场效应晶体管 GANC070-650UTH/SOT8155/TOLT

Nexperia GaN 场效应晶体管 GANC070-650WSH/SOT429/TO247-3