MRFE6VP61K25HR5

Name: NXP MRFE6VP61K25HR5
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 841-MRFE6VP61K25HR5
Price: 3347.56 RMB
Availability: InStock

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请参阅产品规格

Mouser编号：

841-MRFE6VP61K25HR5

制造商编号：

MRFE6VP61K25HR5

制造商：

NXP Semiconductors

说明：

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H

寿命周期:

寿命结束:

将过时且制造商将停产。

数据表:

MRFE6VP61K25HR5 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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库存量: 88

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单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按50的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥3,782.7428	¥3,782.74
	¥3,269.9714	¥32,699.71
	¥3,142.1232	¥78,553.08
整卷卷轴（请按50的倍数订购）
	¥3,064.7408	¥153,237.04

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	NXP
产品种类:	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS:
晶体管极性:	N-Channel
技术:	Si
Id-连续漏极电流:	30 A
Vds-漏源极击穿电压:	133 V
工作频率:	1.8 MHz to 600 MHz
增益:	24 dB
输出功率:	1.25 kW
最大工作温度:	+ 150 C
安装风格:	Screw Mount
封装 / 箱体:	NI-1230H-4
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	NXP Semiconductors
正向跨导 - 最小值:	28 S
通道数量:	2 Channel
Pd-功率耗散:	1.333 kW
产品类型:	RF MOSFET Transistors
系列:	MRFE6VP61K25H
工厂包装数量:	50
子类别:	MOSFETs
类型:	RF Power MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压:	+ 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.7 V
零件号别名:	935314411178
单位重量:	13.155 g

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已选择的属性: 0

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数据表

MRFE6VP61K25HR5 数据表 (PDF)

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 美国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

MRFE6VP61K25H RF Power LDMOS Transistor

NXP's MRFE6VP61K25H Wideband RF Power LDMOS Transistor is a high ruggedness device that is designed for use in high VSWR industrial (including laser and plasma exciters), broadcast (analog and digital), aerospace, and radio/land mobile applications. The MRFE6VP61K25H features an unmatched input and output design allowing wide frequency range utilization, between 1.8MHz and 600MHz. This device can be used in either a single-ended or in a push-pull configuration, is suitable for linear application with appropriate biasing, and has integrated ESD protection with greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation.