800V CoolMOS P7功率晶体管

Infineon 800V CoolMOS P7功率晶体管结合了同类最佳性能和易于使用性这两大优势。P7在800V超级结技术方面树立了新基准。该晶体管具有高达0.6%的效率增益和2°C至8°C的较低MOSFET温度。
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结果: 32
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
数据表
500预期 2027/7/15
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4 A 1.4 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 10 nC - 50 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
数据表
1,500预期 2026/8/31
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 1.5 A 4.5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 4 nC - 50 C + 150 C 13 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
数据表
500预期 2026/8/21
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 280 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 36 nC - 50 C + 150 C 101 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
数据表
无库存交货期 8 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 3 A 1.7 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 9 nC - 55 C + 150 C 24 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
数据表
无库存交货期 15 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 13 A 310 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 30 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
数据表
无库存交货期 19 周
最低： 1,500
倍数： 1,500

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 510 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 20 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
数据表
无库存交货期 18 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 13 A 310 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 30 nC - 55 C + 150 C 84 W Enhancement CoolMOS Tube