QPD GaN射频晶体管

Qorvo QPD GaN射频晶体管可用于Doherty架构，适用于宏蜂窝高效率系统的基站功率放大器的最后一级。这些GaN晶体管是分立式碳化硅基氮化镓 (GaN on SiC) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)，设有单级匹配功率放大器晶体管。典型应用包括W-CDMA/LTE、宏蜂窝基站、有源天线和通用应用。

结果: 34
选择 图像 零件编号
 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
最大工作频率
最小工作频率
技术
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN
数据表
123库存量
最低： 1
倍数： 1

NI-200 6 GHz 0 Hz GaN
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flanged
数据表
44库存量
最低： 1
倍数： 1

NI-200 6 GHz 0 Hz GaN
Qorvo GaN 场效应晶体管 0.03-4.0 GHz, 30W, 32V GaN RF Tr
数据表
29库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT QFN-20 32 V 1.8 A 4 GHz 30 MHz GaN-on-SiC
Qorvo GaN 场效应晶体管 4-6GHz 5W 32Volt P3dB 38.4 dBm GaN
数据表
40库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT QFN-16 32 V 250 mA - 40 C + 85 C 6 GHz 4 GHz GaN-on-SiC
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
数据表
4库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT NI-360 N-Channel 50 V 2.5 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 64 W 3.7 GHz 0 Hz GaN
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-3.6GHz GaN 90W 48V
数据表
10库存量
100预期 2026/10/21
最低： 1
倍数： 1
: 100

SMD/SMT DFN-6 48 V - 40 C 3.8 GHz 1.8 GHz GaN
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-4GHz 10W 28-50V SSG 25dB PAE 70% GaN
数据表
31库存量
50预期 2026/10/19
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 50 V 400 mA - 2.8 V - 40 C + 85 C 13.5 W 4 GHz 0 Hz GaN
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flangeless
数据表
15库存量
最低： 1
倍数： 1

NI-200 6 GHz 0 Hz GaN
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz
数据表
255库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT NI-200 N-Channel 650 mA 12.5 W 6 GHz 0 Hz GaN
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-3.5GHz 100W 28V GaN
数据表
48库存量
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount NI-360 N-Channel 28 V 12 A - 7 V, + 2 V - 2.9 V - 40 C + 85 C 144 W 3.5 GHz 0 Hz GaN-on-SiC
Qorvo GaN 场效应晶体管 30MHZ-3GHz 5W 50 Ohm Gain 18dB@2GHz 32V
数据表
712库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT QFN-16 P-Channel 32 V 600 mA 7.5 W 3 GHz 30 MHz GaN
Qorvo GaN 场效应晶体管 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB
数据表
1,437库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 1 Channel 32 V 326 mA + 225 C 8.4 W 12 GHz 0 Hz GaN
Qorvo GaN 场效应晶体管 .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN
数据表
328库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 100

SMD/SMT QFN-EP-16 N-Channel 32 V 557 mA 15.3 W 3 GHz 30 MHz GaN
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
数据表
5库存量
50预期 2026/9/29
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount NI-360 N-Channel 50 V 4 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 127 W 3.2 GHz 0 Hz GaN
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-4GHz 15W 28-50V SSG 24dB PAE 72% GaN
数据表
44库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 50 V 700 mA - 2.8 V - 40 C + 85 C 17.5 W 4 GHz 0 Hz GaN
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
数据表
48库存量
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount NI-360 N-Channel 50 V 2.5 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 64 W 3.7 GHz 0 Hz GaN
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-18GHZ 12W TQGaN25 PAE 73.3% Gain 21dB
数据表
产品评论
100库存量
最低： 100
倍数： 100

Die N-Channel 18 GHz 0 Hz GaN-on-SiC
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-4GHz 45W GaN 48V
数据表
5库存量
500预期 2026/11/16
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 250

SMD/SMT QFN-20 48 V - 40 C 45 W 4 GHz 0 Hz GaN
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
数据表
19预期 2026/9/29
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT NI-360 N-Channel 50 V 4 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 127 W 3.2 GHz 0 Hz GaN
Qorvo GaN 场效应晶体管 1.2-1.4GHz 500W 50V SSG 20dB GaN
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 18
倍数： 18

SMD/SMT RF-565 N-Channel 50 V 15 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 370 W 1.4 GHz 1.2 GHz GaN
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-2.7GHz 150W PAE 64.8%
数据表
无库存交货期 24 周
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 100

SMD/SMT DFN-6 N-Channel 1.7 A - 40 C + 85 C 67 W 2.7 GHz 1.2 GHz GaN
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-3.5GHz 55 Watt 28V GaN Flangeless
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 100
倍数： 100

NI-360 N-Channel 3.5 GHz GaN
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-6.0GHz 10 Watt 28V GaN
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 100
倍数： 100

6 GHz 0 Hz GaN
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-18GHZ 6W TQGaN25 PAE 71.6% Gain 18dB
数据表
产品评论
交货期 20 周
最低： 50
倍数： 50

Die N-Channel 18 GHz 0 Hz GaN-on-SiC
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-25GHz 7Watt NF 1.3dB GaN
数据表
产品评论
无库存交货期 24 周
最低： 5
倍数： 5

SMD/SMT DIE N-Channel 80 mA - 40 C + 85 C 8.9 W 25 GHz 0 Hz GaN