GaN HEMTs GaN 场效应晶体管

结果: 33
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数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs th-栅源极阈值电压
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
MACOM GaN 场效应晶体管 Amplifier, 240W, 3.1GHz, GaN HEMT, 28V
数据表

Screw Mount 440201 N-Channel 120 V 24 A - 3 V - 40 C + 150 C 345 W
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-18GHz, 25 Watt
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产品评论

SMD/SMT Die N-Channel 4 Channel 100 V 2 A 600 mOhms - 3 V
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 75 Watt
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产品评论

SMD/SMT Die N-Channel 150 V 10 A 280 mOhms - 10 V, 2 V 41.6 W
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 150 Watt
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17库存量
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount 440193 N-Channel 150 V 12 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 120 Watt
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SMD/SMT Die N-Channel 8 Channel 120 V 12 A 100 mOhms - 3 V
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 170 Watt
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产品评论

SMD/SMT Die N-Channel 8 Channel 50 V 12.6 A
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 50 Watt
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Screw Mount 440210 N-Channel 100 V 6 A 2.3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 100 Watt
数据表

Screw Mount 440210 N-Channel 100 V 12 A - 3 V - 40 C + 150 C