SiC MOSFET 分立半导体

分离式半导体类型

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS 产品类型 技术 安装风格 封装 / 箱体
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2 272库存量
720预期 2026/7/28
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2 9库存量
720预期 2027/3/4
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
Nexperia 碳化硅MOSFET NSF030120D7A0-Q/SOT8070/TO263- 660库存量
最低: 1
倍数: 1
: 800

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7
Nexperia 碳化硅MOSFET NSF040120D7A1-Q/SOT8070/TO263- 795库存量
最低: 1
倍数: 1
: 800

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7
Nexperia 碳化硅MOSFET NSF040120D7A1/SOT8070/TO263-7L 795库存量
最低: 1
倍数: 1
: 800

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7
Central Semiconductor 碳化硅MOSFET 18A,1200V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC 40库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package 22库存量
1,500在途量
最低: 1
倍数: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2 5库存量
720预期 2026/9/10
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2 18库存量
480在途量
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
Nexperia 碳化硅MOSFET NSF040120L4A1/SOT8071/TO247-4L 20库存量
最低: 1
倍数: 1
: 30

SiC MOSFETS Si Through Hole TO-247-4
GeneSiC Semiconductor 碳化硅MOSFET 1200V 30mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET 289库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
GeneSiC Semiconductor 碳化硅MOSFET 1700V 45mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET 127库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
GeneSiC Semiconductor 碳化硅MOSFET 1700V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET 5库存量
600预期 2027/1/8
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
GeneSiC Semiconductor 碳化硅MOSFET 1700V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET 5库存量
150预期 2026/10/21
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
4,396在途量
最低: 1
倍数: 1
: 1,800

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
4,000在途量
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HSOF-8
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
6,480在途量
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2
1,992在途量
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2
480预期 2026/8/13
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET
240预期 2026/8/7
最低: 1
倍数: 1
: 240

SiC MOSFETS SiC Through Hole PG-TO247-4
GeneSiC Semiconductor 碳化硅MOSFET 1200V 40mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
600预期 2026/8/17
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
GeneSiC Semiconductor 碳化硅MOSFET 1700V 450mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
1,740预期 2026/10/9
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
Nexperia 碳化硅MOSFET NSF017120T1A0/SOT8114/QDPAK

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT QDPAK-22
Nexperia 碳化硅MOSFET NSF030120T1A0/SOT8114/QDPAK

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT QDPAK-22
Nexperia 碳化硅MOSFET NSF040120T1A1/SOT8114/QDPAK

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT QDPAK-22