SiC 半导体

结果: 2,065
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2 237库存量
最低: 1
倍数: 1

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 115库存量
240预期 2026/9/3
最低: 1
倍数: 1
最大: 10

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 147库存量
240预期 2026/9/10
最低: 1
倍数: 1
最大: 30

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 341库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 20

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 352库存量
最低: 1
倍数: 1

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2 625库存量
240预期 2027/6/10
最低: 1
倍数: 1

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2 609库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 20

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2 451库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 20

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2 1,001库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 70

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2 739库存量
最低: 1
倍数: 1

IXYS 碳化硅MOSFET 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L 790库存量
最低: 1
倍数: 1
: 800

IXYS 碳化硅MOSFET 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L 760库存量
最低: 1
倍数: 1
: 800

IXYS 碳化硅MOSFET 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L 394库存量
最低: 1
倍数: 1

IXYS 碳化硅MOSFET 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L 292库存量
最低: 1
倍数: 1

IXYS 碳化硅MOSFET 1200V 62mohm (25A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L 384库存量
最低: 1
倍数: 1

IXYS 碳化硅MOSFET 1200V 36mohm (43A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L 438库存量
最低: 1
倍数: 1

IXYS 碳化硅MOSFET 1200V 18mohm (30A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L 460库存量
最低: 1
倍数: 1

ROHM Semiconductor MOSFET模块 750V, 47A, 3-Phase-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module 60库存量
最低: 1
倍数: 1
ROHM Semiconductor MOSFET模块 750V, 90A, Full-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module 56库存量
最低: 1
倍数: 1
ROHM Semiconductor MOSFET模块 750V, 90A, 3-Phase-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module 60库存量
最低: 1
倍数: 1
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO263 1.7KV N-CH 3.9A 601库存量
800预期 2027/3/8
最低: 1
倍数: 1
: 800
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO263 1.2KV 40A N-CH SIC 984库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000
Toshiba 碳化硅MOSFET N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.092 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. 2,493库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

Toshiba 碳化硅MOSFET N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.123 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. 2,500库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

Nexperia 碳化硅MOSFET NSF060120D7A0-Q/SOT8070/TO263- 477库存量
最低: 1
倍数: 1
: 800