GaN HEMTs GaN 场效应晶体管

结果: 33
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数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs th-栅源极阈值电压
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
数据表
577库存量
360预期 2026/9/18
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT 440109 N-Channel 120 V 750 mA - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 10 Watt
数据表
2,296库存量
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 1.5 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt
数据表
592库存量
200预期 2026/8/18
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 3 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt
数据表
87库存量
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 6 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt
数据表
产品评论
570库存量
最低： 10
倍数： 10

SMD/SMT Die N-Channel 120 V 750 mA 1.6 Ohms - 3 V
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 100 Watt
数据表
46库存量
225预期 2026/10/16
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount 440193 N-Channel 150 V 8.7 A 2.3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 10 Watt
数据表
41库存量
100预期 2026/8/18
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 1.5 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
数据表
100库存量
2,300在途量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 200

SMD/SMT QFN-6 N-Channel 120 V 750 mA - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 35 Watt
数据表
5库存量
752在途量
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 4.5 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt
数据表
1库存量
325在途量
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 12 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt
数据表
21预期 2026/9/25
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount 440199 N-Channel 2 Channel 120 V 24 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
数据表
668在途量
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount 440166 N-Channel 100 V 4.2 A 2.3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN 场效应晶体管 10W, 4.0GHz, 830120P, GaN HEMT, PILL
数据表
117预期 2026/11/17
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount 440196 N-Channel 120 V 1.5 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 90 Watt
数据表
交货期 26 周
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount 440199 N-Channel 2 Channel 120 V 12 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 25 Watt
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 80
倍数： 80

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 3 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 15 Watt
数据表
产品评论
无库存交货期 26 周
最低： 100
倍数： 10

SMD/SMT Die N-Channel 120 V 1.5 A 1 Ohms - 3 V
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt
数据表
产品评论
无库存交货期 26 周
最低： 10
倍数： 10

SMD/SMT Die N-Channel 2 Channel 120 V 3 A 500 mOhms - 3 V
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 250 Watt
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount 440162 N-Channel 150 V 18 A - 3 V - 40 C + 130 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 500 Watt
数据表
交货期 26 周
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount 440117 N-Channel 150 V 36 A - 3 V - 40 C + 130 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt
数据表
产品评论
无库存交货期 26 周
最低： 10
倍数： 10

SMD/SMT Die N-Channel 100 V 800 mA 2.3 Ohms - 3 V
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt
数据表
产品评论
无库存交货期 26 周
最低： 50
倍数： 10

SMD/SMT Die N-Channel 2 Channel 50 V 3.2 A
MACOM CGH35240F
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 3.1-3.5GHz, 240 Watt
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount 440201 N-Channel 120 V 24 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-15GHz, 25 Watt
数据表

SMD/SMT DFN-12 N-Channel 100 V 2 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-4.0GHz, 320 Watt
数据表
产品评论

SMD/SMT Die N-Channel 50 V
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 60 Watt
数据表
产品评论

SMD/SMT Die N-Channel 4 Channel 120 V 6 A 250 mOhms - 3 V