BM3G005MUV-LBE2

Name: ROHM Semiconductor BM3G005MUV-LBE2
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BM3G005MUV-LBE2
Price: 106.8 RMB
Availability: LimitedAvailability

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

755-BM3G005MUV-LBE2

制造商编号：

BM3G005MUV-LBE2

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

GaN 场效应晶体管 PMIC Power Switch/Driver, 650V, 5m, Low Side Nch

寿命周期:

受限供货情况:

Mouser当前不供应此零件编号的零件。产品可能为限量销售或工厂特别订单。

数据表:

BM3G005MUV-LBE2 数据表

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解ROHM Semiconductor BM3G005MUV-LBE2详情

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	GaN 场效应晶体管
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	VQFN-46
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	68.8 A
Rds On-漏源导通电阻:	70 mOhms
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 105 C
通道模式:	Enhancement
商标名:	Nano Cap; EcoGaN
最大工作频率:	2 MHz
技术:	Si
商标:	ROHM Semiconductor
下降时间:	2.7 ns
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
产品:	GaN HEMT Power Stage
产品类型:	GaN FETs
上升时间:	5 ns
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
典型关闭延迟时间:	19 ns
典型接通延迟时间:	14 ns

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

BM3G005MUV-LBE2 数据表

Other

此功能要求启用JavaScript。

合规代码

USHTS:: 8542390070
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 日本
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

Nano Cap™ 650V GaN HEMT功率级IC

ROHM Semiconductor Nano Cap™ 650V GaN HEMT功率级IC设计用于要求苛刻的电子系统。这些IC将高功率密度和效率完美结合。该器件集成了650V增强型GaN HEMT和硅驱动器。ROHM Semiconductor Nano Cap 650V GaN HEMT功率级IC非常适用于工业设备、电源、桥式拓扑和适配器等应用。