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RF晶体管

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图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	产品类型	安装风格	封装 / 箱体	晶体管类型	技术	工作频率	输出功率	最小工作温度	最大工作温度	增益	封装
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 100Watts 28Volt Gain 8.8dB MRF275L MACOM 160: ¥1,612.6343 无库存交货期 28 周	制造商零件编号 MRF275L Mouser 零件编号 937-MRF275L	MACOM	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 100Watts 28Volt Gain 8.8dB 了解更多关于MACOM mrf 的信息	数据表	无库存交货期 28 周	¥1,612.6343	最低： 160 倍数： 160	RF MOSFETs	SMD/SMT	333-04		Si	500 MHz	100 W	- 65 C	+ 150 C	8.8 dB	Tray
射频(RF)双极晶体管 Transistor,<200MHz,28V,300W MRF317 MACOM 140: ¥1,668.7953 无库存交货期 28 周	制造商零件编号 MRF317 Mouser 零件编号 937-MRF317	MACOM	射频(RF)双极晶体管 Transistor,<200MHz,28V,300W	数据表	无库存交货期 28 周	¥1,668.7953	最低： 140 倍数： 140	RF Bipolar Transistors				Si
射频(RF)双极晶体管 Transistor,20-500MHz,28V,10W MRF321 MACOM 160: ¥1,459.5193 无库存交货期 36 周	制造商零件编号 MRF321 Mouser 零件编号 937-MRF321	MACOM	射频(RF)双极晶体管 Transistor,20-500MHz,28V,10W	数据表	无库存交货期 36 周	¥1,459.5193	最低： 160 倍数： 160	RF Bipolar Transistors				Si
射频(RF)双极晶体管 Transistor,110W,2.7-2.9GHz,100us,10% PH2729-110M MACOM 60: ¥4,791.1548 无库存交货期 22 周	制造商零件编号 PH2729-110M Mouser 零件编号 937-PH2729-110M	MACOM	射频(RF)双极晶体管 Transistor,110W,2.7-2.9GHz,100us,10%	数据表	无库存交货期 22 周	¥4,791.1548	最低： 60 倍数： 60	RF Bipolar Transistors	Screw Mount	Ceramic-2	Bipolar	Si	2.7 GHz to 2.9 GHz	110 W		+ 200 C
射频(RF)双极晶体管 Transistor,Bipolar,65W,36V,2.70-2.90GHz PH2729-65M MACOM 40: ¥5,128.4711 无库存交货期 28 周	制造商零件编号 PH2729-65M Mouser 零件编号 937-PH2729-65M	MACOM	射频(RF)双极晶体管 Transistor,Bipolar,65W,36V,2.70-2.90GHz	数据表	无库存交货期 28 周	¥5,128.4711	最低： 40 倍数： 40	RF Bipolar Transistors				Si
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 40Watts 28Volt Gain 10dB UF2840G MACOM 100: ¥2,657.9182 无库存交货期 26 周	制造商零件编号 UF2840G Mouser 零件编号 937-UF2840G	MACOM	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 40Watts 28Volt Gain 10dB	数据表	无库存交货期 26 周	¥2,657.9182	最低： 100 倍数： 100	RF MOSFETs	SMD/SMT	319-07		Si	100 MHz to 500 MHz	40 W	- 55 C	+ 150 C	10 dB	Tray
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Low Noise pHEMT Devices MWT-LN300 CML Micro 1,000: ¥279.5733 无库存交货期 27 周	制造商零件编号 MWT-LN300 Mouser 零件编号 938-MWT-LN300	CML Micro	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Low Noise pHEMT Devices 了解更多关于CML Micro microwave technology gaas fet and phemt devices 的信息	数据表	无库存交货期 27 周	剪切带 ¥279.5733	最低： 1,000 倍数： 10 : 10	RF MOSFETs		Die	pHEMT	GaAs	26 GHz	16 dBm		+ 150 C	10 dB, 13 dB	Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications MWT-PH27F CML Micro 1: ¥215.5588 无库存交货期 27 周	制造商零件编号 MWT-PH27F Mouser 零件编号 938-MWT-PH27F	CML Micro	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications	数据表	无库存交货期 27 周	¥215.5588 ¥129.2381	最低： 1 倍数： 1	RF MOSFETs		Die	pHEMT	GaAs	26 GHz	25 dBm		+ 150 C	16 dB	Bulk
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications MWT-PH29F CML Micro 1: ¥277.8444 无库存交货期 27 周	制造商零件编号 MWT-PH29F Mouser 零件编号 938-MWT-PH29F	CML Micro	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications	数据表	无库存交货期 27 周	¥277.8444 ¥226.678 ¥200.2812	最低： 1 倍数： 1	RF MOSFETs		Die	pHEMT	GaAs	18 GHz	28.5 dBm		+ 150 C	13 dB	Bulk
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications MWT-PH4F CML Micro 1: ¥663.7168 无库存交货期 27 周	制造商零件编号 MWT-PH4F Mouser 零件编号 938-MWT-PH4F	CML Micro	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications	数据表	无库存交货期 27 周	¥663.7168 ¥576.6051 ¥466.0459	最低： 1 倍数： 1	RF MOSFETs		Die	pHEMT	GaAs	28 GHz	21.5 dBm		+ 150 C	14 dB	Bulk
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications MWT-PH7F CML Micro 10: ¥489.8437 无库存交货期 27 周	制造商零件编号 MWT-PH7F Mouser 零件编号 938-MWT-PH7F	CML Micro	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications 了解更多关于CML Micro microwave technology gaas fet and phemt devices 的信息	数据表	无库存交货期 27 周	¥489.8437	最低： 10 倍数： 10	RF MOSFETs		Die	pHEMT	GaAs	28 GHz	23 dBm		+ 150 C	15 dB	Bulk
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLA9H0912LS-700G/SOT502/TRAY BLA9H0912LS-700GU Ampleon 1: ¥3,813.3771 无库存交货期 16 周 Mouser 的新产品	制造商零件编号 BLA9H0912LS-700GU Mouser 零件编号 94-BLA9H0912LS-700GU Mouser 的新产品	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLA9H0912LS-700G/SOT502/TRAY	数据表	无库存交货期 16 周	¥3,813.3771 ¥3,226.1726	最低： 1 倍数： 1	RF MOSFETs	SMD/SMT	SOT502E-3		LDMOS	960 MHz to 1.215 GHz	700 W		+ 225 C	20 dB	Tray
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G16XS-600AVT/SOT1258/REELDP BLC10G16XS-600AVTY Ampleon 100: ¥730.4659 无库存交货期 13 周	制造商零件编号 BLC10G16XS-600AVTY Mouser 零件编号 94-BLC10G16XS600AVTY	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G16XS-600AVT/SOT1258/REELDP	数据表	无库存交货期 13 周	卷轴 ¥730.4659 查看报价	最低： 100 倍数： 100 : 100	RF MOSFETs	SMD/SMT	SOT1258-4-7		LDMOS	1.427 GHz to 1.518 GHz	600 W	- 40 C	+ 125 C	17.4 dB	Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G27XS-400AVT/SOT1258/REELDP BLC10G27XS-400AVTY Ampleon 100: ¥758.2526 无库存交货期 13 周	制造商零件编号 BLC10G27XS-400AVTY Mouser 零件编号 94-BLC10G27XS400AVTY	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G27XS-400AVT/SOT1258/REELDP	数据表	无库存交货期 13 周	卷轴 ¥758.2526	最低： 100 倍数： 100 : 100	RF MOSFETs	SMD/SMT	SOT1258-4-7		LDMOS	2.496 GHz to 2.69 GHz	400 W	- 40 C	+ 125 C	13.3 dB	Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS trans BLC8G21LS-160AVY Ampleon 100: ¥478.3516 无库存交货期 13 周	制造商零件编号 BLC8G21LS-160AVY Mouser 零件编号 94-BLC8G21LS-160AVY	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS trans	数据表	无库存交货期 13 周	卷轴 ¥478.3516	最低： 100 倍数： 100 : 100	RF MOSFETs	SMD/SMT	SOT1275-1-7	LDMOS FET	LDMOS	1.805 GHz to 2.025 GHz	160 W		+ 225 C	15 dB	Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS trans BLC8G21LS-160AVZ Ampleon 60: ¥632.2011 无库存交货期 13 周	制造商零件编号 BLC8G21LS-160AVZ Mouser 零件编号 94-BLC8G21LS-160AVZ	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS trans	数据表	无库存交货期 13 周	¥632.2011 ¥615.0816 查看报价	最低： 60 倍数： 60	RF MOSFETs	SMD/SMT	SOT1275-1-7	LDMOS FET	LDMOS	1.805 GHz to 2.025 GHz	160 W		+ 225 C	15 dB	Tray
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor BLF2425M9L30J Ampleon 100: ¥1,194.749 无库存交货期 16 周	制造商零件编号 BLF2425M9L30J Mouser 零件编号 94-BLF2425M9L30J	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor	数据表	无库存交货期 16 周	卷轴 ¥1,194.749 查看报价	最低： 100 倍数： 100 : 100	RF MOSFETs	Screw Mount	SOT1135A-3	LDMOS FET	LDMOS	2.4 GHz to 2.5 GHz	30 W		+ 225 C	18.5 dB	Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor BLF2425M9L30U Ampleon 60: ¥1,173.5728 无库存交货期 16 周	制造商零件编号 BLF2425M9L30U Mouser 零件编号 94-BLF2425M9L30U	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor	数据表	无库存交货期 16 周	¥1,173.5728 报价报价	最低： 60 倍数： 60	RF MOSFETs	Screw Mount	SOT1135A-3	LDMOS FET	LDMOS	2.4 GHz to 2.5 GHz	30 W		+ 225 C	18.5 dB	Tray
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS transistor BLF2425M9LS140J Ampleon 100: ¥868.2694 无库存交货期 16 周	制造商零件编号 BLF2425M9LS140J Mouser 零件编号 94-BLF2425M9LS140J	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS transistor	数据表	无库存交货期 16 周	卷轴 ¥868.2694 报价报价	最低： 100 倍数： 100 : 100	RF MOSFETs	SMD/SMT	SOT502B-3	LDMOS FET	LDMOS	2.4 GHz to 2.5 GHz	140 W		+ 225 C	19 dB	Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS transistor BLF2425M9LS140U Ampleon 60: ¥921.6167 无库存交货期 16 周	制造商零件编号 BLF2425M9LS140U Mouser 零件编号 94-BLF2425M9LS140U	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS transistor	数据表	无库存交货期 16 周	¥921.6167 报价报价	最低： 60 倍数： 60	RF MOSFETs	SMD/SMT	SOT502B-3	LDMOS FET	LDMOS	2.4 GHz to 2.5 GHz	140 W		+ 225 C	19 dB	Tray
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor BLF2425M9LS30J Ampleon 100: ¥830.7986 无库存交货期 16 周	制造商零件编号 BLF2425M9LS30J Mouser 零件编号 94-BLF2425M9LS30J	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor	数据表	无库存交货期 16 周	卷轴 ¥830.7986 报价报价	最低： 100 倍数： 100 : 100	RF MOSFETs	SMD/SMT	SOT1135B-3	LDMOS FET	LDMOS	2.4 GHz to 2.5 GHz	30 W		+ 225 C	18.5 dB	Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor BLF2425M9LS30U Ampleon 60: ¥881.9198 无库存交货期 16 周	制造商零件编号 BLF2425M9LS30U Mouser 零件编号 94-BLF2425M9LS30U	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor	数据表	无库存交货期 16 周	¥881.9198 报价报价	最低： 60 倍数： 60	RF MOSFETs	SMD/SMT	SOT1135B-3	LDMOS FET	LDMOS	2.4 GHz to 2.5 GHz	30 W		+ 225 C	18.5 dB	Tray
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Broadband pwr LDMOS transistor BLF647PSJ Ampleon 100: ¥1,540.416 无库存交货期 16 周	制造商零件编号 BLF647PSJ Mouser 零件编号 94-BLF647PSJ	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Broadband pwr LDMOS transistor 了解更多关于Ampleon blf647p transistors 的信息	数据表	无库存交货期 16 周	卷轴 ¥1,540.416 查看报价	最低： 100 倍数： 100 : 100	RF MOSFETs	SMD/SMT	SOT1121B-5	LDMOS FET	LDMOS	1.5 GHz	200 W		+ 225 C	17.5 dB	Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLL9G1214LS-600/SOT502/TRAY BLL9G1214LS-600U Ampleon 1: ¥2,480.237 无库存交货期 16 周 Mouser 的新产品	制造商零件编号 BLL9G1214LS-600U Mouser 零件编号 94-BLL9G1214LS-600U Mouser 的新产品	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLL9G1214LS-600/SOT502/TRAY	数据表	无库存交货期 16 周	¥2,480.237 ¥2,069.143 ¥2,032.4971	最低： 1 倍数： 1	RF MOSFETs	SMD/SMT	SOT502B-3		LDMOS	1.2 GHz to 1.4 GHz	600 W		+ 225 C	19 dB	Tray
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLS9G3135L-115/SOT1135/TRAY BLS9G3135L-115U Ampleon 1: ¥1,299.7147 无库存交货期 16 周 Mouser 的新产品	制造商零件编号 BLS9G3135L-115U Mouser 零件编号 94-BLS9G3135L-115U Mouser 的新产品	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLS9G3135L-115/SOT1135/TRAY	数据表	无库存交货期 16 周	¥1,299.7147 ¥1,086.1447 ¥1,039.6565 报价报价	最低： 1 倍数： 1	RF MOSFETs	Screw Mount	SOT1135A-3		LDMOS	3.1 GHz to 3.5 GHz	115 W		+ 225 C	14 dB	Tray