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RF晶体管

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图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	产品类型	安装风格	封装 / 箱体	晶体管类型	技术	工作频率	输出功率	最小工作温度	最大工作温度	增益	封装
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 200 W, 28 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor RF2L15200CB4 STMicroelectronics 100: ¥1,288.6294 无库存交货期 52 周	制造商零件编号 RF2L15200CB4 Mouser 零件编号 511-RF2L15200CB4	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 200 W, 28 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor	数据表	无库存交货期 52 周	卷轴 ¥1,288.6294	最低： 100 倍数： 100 : 100	RF MOSFETs	SMD/SMT	LBB-5	LDMOS FET	Si	860 MHz	200 W		+ 200 C	17.5 dB	Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 180 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor RF2L16180CF2 STMicroelectronics 120: ¥1,002.2648 无库存交货期 52 周	制造商零件编号 RF2L16180CF2 Mouser 零件编号 511-RF2L16180CF2	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 180 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor	数据表	无库存交货期 52 周	卷轴 ¥1,002.2648	最低： 120 倍数： 120 : 120	RF MOSFETs	SMD/SMT	B2-3	LDMOS FET	Si	1.47 GHz	180 W		+ 200 C	17.5 dB	Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 15 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor RF2L27015CG2 STMicroelectronics 300: ¥286.3646 无库存交货期 52 周	制造商零件编号 RF2L27015CG2 Mouser 零件编号 511-RF2L27015CG2	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 15 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor	数据表	无库存交货期 52 周	卷轴 ¥286.3646	最低： 300 倍数： 300 : 300	RF MOSFETs	SMD/SMT	E2-3	LDMOS FET	Si	2.7 GHz	15 W		+ 200 C	19 dB	Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 25 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor RF2L27025CG2 STMicroelectronics 300: ¥308.2866 无库存交货期 52 周	制造商零件编号 RF2L27025CG2 Mouser 零件编号 511-RF2L27025CG2	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 25 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor	数据表	无库存交货期 52 周	卷轴 ¥308.2866	最低： 300 倍数： 300 : 300	RF MOSFETs	SMD/SMT	E2-3	LDMOS FET	Si	2.7 GHz	25 W		+ 200 C	18 dB	Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 40 W, 28 V, 2.7 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor RF2L36040CF2 STMicroelectronics 160: ¥501.0985 无库存交货期 52 周	制造商零件编号 RF2L36040CF2 Mouser 零件编号 511-RF2L36040CF2	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 40 W, 28 V, 2.7 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor	数据表	无库存交货期 52 周	卷轴 ¥501.0985	最低： 160 倍数： 160 : 160	RF MOSFETs	SMD/SMT	A2-3	LDMOS FET	Si	3.6 GHz	40 W		+ 200 C	14 dB	Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor RF3L05150CB4 STMicroelectronics 1: ¥1,672.3548 无库存交货期 52 周	制造商零件编号 RF3L05150CB4 Mouser 零件编号 511-RF3L05150CB4	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor 了解更多关于STMicroelectronics stm rf3l05150cb4 transistors 的信息	数据表	无库存交货期 52 周	剪切带 ¥1,672.3548 ¥1,305.4212 卷轴 ¥1,305.4212	最低： 1 倍数： 1 : 100	RF MOSFETs	Through Hole	LBB-4	LDMOS FET	Si	945 MHz	150 W		+ 200 C	16 dB	Reel, Cut Tape
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz SD2931-12W STMicroelectronics 50: ¥691.3453 无库存交货期 28 周	制造商零件编号 SD2931-12W Mouser 零件编号 511-SD2931-12W	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz	数据表	无库存交货期 28 周	¥691.3453	最低： 50 倍数： 50	RF MOSFETs				Si						Bulk
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. SD3931-10 STMicroelectronics 50: ¥608.8779 无库存交货期 28 周	制造商零件编号 SD3931-10 Mouser 零件编号 511-SD3931-10	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.	数据表	无库存交货期 28 周	¥608.8779 ¥601.1826	最低： 50 倍数： 50	RF MOSFETs	SMD/SMT	M174		Si	150 MHz	175 W	- 65 C	+ 150 C	21.3 dB	Bulk
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. SD3933 STMicroelectronics 50: ¥1,082.7547 无库存交货期 28 周	制造商零件编号 SD3933 Mouser 零件编号 511-SD3933	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.	数据表	无库存交货期 28 周	¥1,082.7547	最低： 50 倍数： 50	RF MOSFETs	SMD/SMT	M177		Si	200 MHz	350 W	- 65 C	+ 150 C	29 dB	Bulk
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Trans 200V 150W 14.8 dB at 175MHz SD4931 STMicroelectronics 50: ¥601.1826 无库存交货期 28 周	制造商零件编号 SD4931 Mouser 零件编号 511-SD4931	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Trans 200V 150W 14.8 dB at 175MHz 了解更多关于STMicroelectronics stmicro sd4931 sd4933 的信息	数据表	无库存交货期 28 周	¥601.1826	最低： 50 倍数： 50	RF MOSFETs	SMD/SMT	M174		Si	250 MHz	150 W		+ 150 C	14.8 dB	Bulk
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Trans 200V 300W 24 dB at 30 MHz SD4933 STMicroelectronics 50: ¥1,046.5269 无库存交货期 28 周	制造商零件编号 SD4933 Mouser 零件编号 511-SD4933	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Trans 200V 300W 24 dB at 30 MHz 了解更多关于STMicroelectronics stmicro sd4931 sd4933 的信息	数据表	无库存交货期 28 周	¥1,046.5269	最低： 50 倍数： 50	RF MOSFETs	SMD/SMT	M177		Si	100 MHz	300 W		+ 150 C	24 dB	Bulk
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 60 W, 28 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor SD56060 STMicroelectronics 60: ¥1,387.2332 无库存交货期 28 周	制造商零件编号 SD56060 Mouser 零件编号 511-SD56060	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 60 W, 28 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor	数据表	无库存交货期 28 周	¥1,387.2332	最低： 60 倍数： 60	RF MOSFETs	Screw Mount	M246	LDMOS FET	Si		60 W	- 65 C	+ 200 C		Bulk
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 4 Amp SD57030 STMicroelectronics 50: ¥502.7483 无库存交货期 28 周	制造商零件编号 SD57030 Mouser 零件编号 511-SD57030	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 4 Amp	数据表	无库存交货期 28 周	¥502.7483 ¥446.9941	最低： 50 倍数： 50	RF MOSFETs	SMD/SMT	M243-3	LDMOS FET	Si	1 GHz	30 W	- 65 C	+ 150 C	13 dB	Bulk
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 4 Amp SD57030-01 STMicroelectronics 50: ¥524.6703 无库存交货期 28 周	制造商零件编号 SD57030-01 Mouser 零件编号 511-SD57030-01	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 4 Amp	数据表	无库存交货期 28 周	¥524.6703 ¥494.0586	最低： 50 倍数： 50	RF MOSFETs	SMD/SMT	M250	LDMOS FET	Si	1 GHz	30 W	- 65 C	+ 150 C	13 dB	Bulk
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 5 Amp SD57045-01 STMicroelectronics 50: ¥587.4531 无库存交货期 28 周	制造商零件编号 SD57045-01 Mouser 零件编号 511-SD57045-01	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 5 Amp	数据表	无库存交货期 28 周	¥587.4531 ¥570.3223	最低： 50 倍数： 50	RF MOSFETs	SMD/SMT	M250	LDMOS FET	Si	1 GHz	45 W	- 65 C	+ 150 C	13 dB	Bulk
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 250 W, 28/32 V RF Power LDMOS transistor from HF to 1 GHz ST05250 STMicroelectronics 120: ¥1,233.1351 无库存交货期 52 周	制造商零件编号 ST05250 Mouser 零件编号 511-ST05250	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 250 W, 28/32 V RF Power LDMOS transistor from HF to 1 GHz	数据表	无库存交货期 52 周	卷轴 ¥1,233.1351	最低： 120 倍数： 120 : 120	RF MOSFETs	SMD/SMT	B4E-5	LDMOS FET	Si	945 MHz	250 W		+ 200 C	13.4 dB	Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 10 W, 28 V, HF to 1.6 GHz RF Power LDMOS transistor ST16010 STMicroelectronics 1: ¥498.8611 无库存交货期 52 周	制造商零件编号 ST16010 Mouser 零件编号 511-ST16010	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 10 W, 28 V, HF to 1.6 GHz RF Power LDMOS transistor	数据表	无库存交货期 52 周	剪切带 ¥498.8611 ¥433.4341 ¥362.6283 卷轴 ¥362.6283	最低： 1 倍数： 1 : 300	RF MOSFETs	SMD/SMT	MM-2	LDMOS FET	Si	930 MHz	12 W		+ 200 C	21 dB	Reel, Cut Tape
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. STAC3932B STMicroelectronics 80: ¥1,001.9371 无库存交货期 28 周	制造商零件编号 STAC3932B Mouser 零件编号 511-STAC3932B	STMicroelectronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.	数据表	无库存交货期 28 周	¥1,001.9371	最低： 80 倍数： 80	RF MOSFETs	SMD/SMT	STAC-244B		Si	250 MHz	580 W	- 65 C	+ 150 C	24.6 dB	Bulk
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 0.25W 20V RFM00U7U(TE85L,F) Toshiba 3,000: ¥4.6443 无库存	制造商零件编号 RFM00U7U(TE85L,F) Mouser 零件编号 757-RFM00U7UTE85LF	Toshiba	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 0.25W 20V	数据表	无库存	卷轴 ¥4.6443 ¥4.52	最低： 3,000 倍数： 3,000 : 3,000	RF MOSFETs	SMD/SMT	SOT-343-4		Si	520 MHz	200 mW			13 dB	Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 4A 20W 20V RFM12U7X(TE12L,Q) Toshiba 1,000: ¥43.4259 无库存	制造商零件编号 RFM12U7X(TE12L,Q) Mouser 零件编号 757-RFM12U7XTE12LQ	Toshiba	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 4A 20W 20V	数据表	无库存	卷轴 ¥43.4259	最低： 1,000 倍数： 1,000 : 1,000	RF MOSFETs	SMD/SMT	PW-X-4		Si	520 MHz	12 W			10.8 dB	Reel
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 0.18mmPwrpHEMT QPD2018D Qorvo 100: ¥104.8301 无库存交货期 20 周	制造商零件编号 QPD2018D Mouser 零件编号 772-QPD2018D	Qorvo	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 0.18mmPwrpHEMT 了解更多关于Qorvo qpd2018d phemt 的信息		无库存交货期 20 周	卷轴 ¥104.8301 ¥99.9598 ¥98.1518	最低： 100 倍数： 100 : 100	RF JFET Transistors	SMD/SMT	0.41 mm x 0.34 mm	pHEMT	GaAs					14 dB	Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,120W,2-175MHz,28V DU28120V MACOM 120: ¥2,424.98 无库存交货期 26 周	制造商零件编号 DU28120V Mouser 零件编号 937-DU28120V	MACOM	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,120W,2-175MHz,28V	数据表	无库存交货期 26 周	¥2,424.98	最低： 120 倍数： 120	RF MOSFETs	SMD/SMT			Si	2 MHz to 175 MHz	120 W			13 dB
射频(RF)双极晶体管 1025-1150MHz 500W Gain 8.5dB MRF10502 MACOM 500: ¥4,196.6844 无库存交货期 28 周	制造商零件编号 MRF10502 Mouser 零件编号 937-MRF10502	MACOM	射频(RF)双极晶体管 1025-1150MHz 500W Gain 8.5dB	数据表	无库存交货期 28 周	¥4,196.6844	最低： 500 倍数： 500	RF Bipolar Transistors		355J-2	Bipolar Power	Si	1.15 GHz		- 65 C	+ 200 C
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-150MHz 150Watts 50Volt Gain 17dB MRF150 MACOM 1: ¥2,530.861 无库存交货期 36 周	制造商零件编号 MRF150 Mouser 零件编号 937-MRF150	MACOM	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-150MHz 150Watts 50Volt Gain 17dB 了解更多关于MACOM mrf 的信息	数据表	无库存交货期 36 周	¥2,530.861 ¥2,137.1351	最低： 1 倍数： 1	RF MOSFETs	SMD/SMT	221-11-3		Si	150 MHz	150 W	- 65 C	+ 150 C	17 dB	Tray
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 300Watts 50Volt Gain 14dB MRF151G MACOM 1: ¥3,716.0954 无库存交货期 28 周	制造商零件编号 MRF151G Mouser 零件编号 937-MRF151G	MACOM	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 300Watts 50Volt Gain 14dB 了解更多关于MACOM mrf 的信息	数据表	无库存交货期 28 周	¥3,716.0954 ¥3,167.1075	最低： 1 倍数： 1	RF MOSFETs	SMD/SMT			Si	175 MHz	300 W	- 65 C	+ 150 C	14 dB	Tray