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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
- PD55015S-E
- STMicroelectronics
-
1:
¥210.2591
-
228库存量
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Mouser 零件编号
511-PD55015S-E
|
STMicroelectronics
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
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228库存量
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¥210.2591
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¥168.3248
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¥145.5779
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¥136.1537
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查看
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报价
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最低： 1
倍数： 1
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N-Channel
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Si
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5 A
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40 V
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1 GHz
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14 dB
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15 W
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- 65 C
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+ 150 C
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SMD/SMT
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PowerSO-10RF-Straight-4
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Tube
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
- PD55025S-E
- STMicroelectronics
-
1:
¥263.7759
-
112库存量
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Mouser 零件编号
511-PD55025S-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
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|
112库存量
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¥263.7759
|
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¥193.3882
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¥184.2126
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¥174.9466
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最低： 1
倍数： 1
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N-Channel
|
Si
|
7 A
|
40 V
|
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1 GHz
|
14.5 dB
|
25 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
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PowerSO-10RF-Straight-4
|
Tube
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
- PD55003S-E
- STMicroelectronics
-
1:
¥93.8804
-
无库存交货期 23 周
|
Mouser 零件编号
511-PD55003S-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
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无库存交货期 23 周
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¥93.8804
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¥65.3479
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¥60.2177
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¥59.3928
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最低： 1
倍数： 1
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N-Channel
|
Si
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2.5 A
|
40 V
|
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1 GHz
|
17 dB
|
3 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
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SMD/SMT
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PowerSO-10RF-Straight-4
|
Tube
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
- PD55015STR-E
- STMicroelectronics
-
600:
¥86.6032
-
无库存交货期 23 周
|
Mouser 零件编号
511-PD55015STR-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
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无库存交货期 23 周
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¥86.6032
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报价
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报价
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最低： 600
倍数： 600
:
600
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N-Channel
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Si
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5 A
|
40 V
|
|
1 GHz
|
14 dB
|
15 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Straight-4
|
Reel
|
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
- PD57018STR-E
- STMicroelectronics
-
600:
¥187.6817
-
无库存交货期 23 周
|
Mouser 零件编号
511-PD57018STR-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
|
|
无库存交货期 23 周
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|
¥187.6817
|
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|
报价
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报价
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最低： 600
倍数： 600
:
600
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N-Channel
|
Si
|
2.5 A
|
65 V
|
760 mOhms
|
1 GHz
|
16.5 dB
|
18 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Straight-4
|
Reel
|
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
- PD57030S-E
- STMicroelectronics
-
400:
¥277.9235
-
无库存交货期 23 周
|
Mouser 零件编号
511-PD57030S-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
|
|
无库存交货期 23 周
|
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|
¥277.9235
|
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查看
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报价
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最低： 400
倍数： 400
|
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N-Channel
|
Si
|
4 A
|
65 V
|
|
1 GHz
|
14 dB
|
30 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Straight-4
|
Tube
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
- PD57060S-E
- STMicroelectronics
-
400:
¥391.5789
-
无库存交货期 23 周
|
Mouser 零件编号
511-PD57060S-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
|
|
无库存交货期 23 周
|
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最低： 400
倍数： 400
|
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|
N-Channel
|
Si
|
7 A
|
65 V
|
|
1 GHz
|
14.3 dB
|
60 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Straight-4
|
Tube
|
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
- PD85035S-E
- STMicroelectronics
-
400:
¥174.1217
-
无库存交货期 23 周
|
Mouser 零件编号
511-PD85035S-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
|
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无库存交货期 23 周
|
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|
¥174.1217
|
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|
报价
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报价
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最低： 400
倍数： 400
|
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N-Channel
|
Si
|
8 A
|
40 V
|
|
1 GHz
|
14.9 dB
|
35 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Straight-4
|
Tube
|
|
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
- PD85035STR-E
- STMicroelectronics
-
600:
¥188.9247
-
无库存交货期 23 周
|
Mouser 零件编号
511-PD85035STR-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
|
|
无库存交货期 23 周
|
|
最低： 600
倍数： 600
:
600
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
8 A
|
40 V
|
|
1 GHz
|
14.9 dB
|
35 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Straight-4
|
Reel
|
|
