Low Noise FETs & ICs

CEL Low Noise FETs and ICs exhibit low noise figures and high associated gains, delivering exceptional noise figure performance at frequencies past 20GHz. These products are available in both ceramic and plastic packages that uphold the renowned Japanese manufacturing quality and reliability. The low-noise FETs and amplifier ICs offer better RF performance than other pHEMTs. Target markets for the devices include Digital Broadcast Systems (DBS), Low Noise Block (LNB) downconverters, and Very Small Aperture Terminal Satellite (VSAT) communication systems. Other typical applications include microwave communication systems, motion detectors, traffic monitoring, collision avoidance, and presence detections.

结果: 11
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS
CEL 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead 2,610库存量
最低: 1
倍数: 1

CEL 射频放大器 LNA Pout 12dBm NF .4dB Typ Gn 17dB 3,180库存量
最低: 1
倍数: 1
: 5,000

CEL 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C 3,140库存量
最低: 1
倍数: 1

CEL 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C 15,329库存量
最低: 1
倍数: 1
: 10,000

CEL 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead 12,202库存量
最低: 1
倍数: 1
: 15,000

CEL 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C 4,826库存量
最低: 1
倍数: 1

CEL 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C 3,870库存量
10,000预期 2026/8/31
最低: 1
倍数: 1
: 10,000

CEL 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C 16,250库存量
最低: 1
倍数: 1
: 15,000

CEL 射频放大器 LNA Pout 12dBm NF .4dB Typ Gn 17dB 239库存量
最低: 1
倍数: 1

CEL 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C 44库存量
3,000预期 2026/9/2
最低: 1
倍数: 1

CEL 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C 无库存交货期 20 周
最低: 15,000
倍数: 15,000
: 15,000