28 dB 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 7
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数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性
技术
Vds-漏源极击穿电压
Rds On-漏源导通电阻
工作频率
增益
输出功率
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
封装
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM2425M9S20/OMP-400/TRAYDP
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 1
倍数： 1

LDMOS 65 V 350 mOhms, 2.35 Ohms 2.4 GHz to 2.5 GHz 28 dB 20 W + 150 C SMD/SMT OMP-400-8F-1-8 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART1K6FH/SOT539/TRAY
数据表
5库存量
120预期 2026/8/18
最低： 1
倍数： 1

Dual N-Channel LDMOS 55 V 84 mOhms 1 MHz to 425 MHz 28 dB 1.6 kW + 225 C Screw Mount SOT539AN-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART1K6FHG/SOT1248/REEL
数据表

Dual N-Channel LDMOS 55 V 84 mOhms 1 MHz to 425 MHz 28 dB 1.6 kW + 225 C SMD/SMT SOT1248C-5 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART1K6FHS/SOT539/TRAY
数据表

Dual N-Channel LDMOS 55 V 84 mOhms 1 MHz to 425 MHz 28 dB 1.6 kW + 225 C SMD/SMT SOT539BN-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D2527-09AM/LGA-7x7/REELDP
数据表

LDMOS 65 V 2.496 GHz to 2.7 GHz 28 dB 40 dBm + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D2527-09AM/LGA-7x7/REELDP
数据表

LDMOS 65 V 2.496 GHz to 2.7 GHz 28 dB 40 dBm + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D3842-16AM/LGA-7x7/REELDP
数据表

LDMOS 65 V 3.8 GHz to 4.2 GHz 28 dB 40.5 dBm + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel