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32 dB 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	Vds-漏源极击穿电压	工作频率	增益	输出功率	最大工作温度	安装风格	封装 / 箱体	封装
	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B10G1819N10DL/LGA-7X7-20/REEL B10G1819N10DLX Ampleon 受限供货情况	制造商零件编号 B10G1819N10DLX Mouser 零件编号 94-B10G1819N10DLX	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B10G1819N10DL/LGA-7X7-20/REEL	数据表			受限供货情况			LDMOS	65 V	1.805 GHz to 1.88 GHz	32 dB	10 W	+ 125 C	SMD/SMT	LGA-20	Reel
	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B10G1819N10DL/LGA-7X7-20/REEL B10G1819N10DLZ Ampleon 受限供货情况	制造商零件编号 B10G1819N10DLZ Mouser 零件编号 94-B10G1819N10DLZ	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B10G1819N10DL/LGA-7X7-20/REEL	数据表			受限供货情况			LDMOS	65 V	1.805 GHz to 1.88 GHz	32 dB	10 W	+ 125 C	SMD/SMT	LGA-20	Reel
	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B11G1822N60D/PQFN-12x7/REELDP B11G1822N60DX Ampleon 受限供货情况	制造商零件编号 B11G1822N60DX Mouser 零件编号 94-B11G1822N60DX	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B11G1822N60D/PQFN-12x7/REELDP	数据表			受限供货情况			LDMOS	65 V	1.8 GHz to 2.2 GHz	32 dB	48.5 dBm	+ 125 C	SMD/SMT	QFN-36	Reel
	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B11G1822N60D/PQFN-12x7/REELDP B11G1822N60DYZ Ampleon 受限供货情况	制造商零件编号 B11G1822N60DYZ Mouser 零件编号 94-B11G1822N60DYZ	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B11G1822N60D/PQFN-12x7/REELDP	数据表			受限供货情况			LDMOS	65 V	1.8 GHz to 2.2 GHz	32 dB	48.5 dBm	+ 200 C	SMD/SMT	QFN-36	Reel