NXP 分立半导体

分离式半导体类型

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NXP Semiconductors 桥式整流器 TEA2206T/1 1,774库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

Bridge Rectifiers SMD/SMT SOIC-8
NXP Semiconductors 桥式整流器 TEA2209T/1 1,096库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

Bridge Rectifiers SMD/SMT SOIC-16
NXP Semiconductors AFT27S006NT1
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728-3700 MHz, 28.8 dBm Avg., 28 V 1,223库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT PLD-1.5W


NXP Semiconductors GaN 场效应晶体管 Airfast RF Power GaN Transistor, 1805-1880 MHz, 85 W Avg., 48 V 5库存量
最低: 1
倍数: 1
: 250

GaN FETs GaN-on-Si SMD/SMT OM-780-4S4S-8

NXP Semiconductors GaN 场效应晶体管 Airfast RF Power GaN Transistor, 1930 1995 MHz, 85 W Avg., 48 V 35库存量
最低: 1
倍数: 1
: 250

GaN FETs GaN-on-Si
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V 950库存量
2,000预期 2026/8/11
最低: 1
倍数: 1

RF MOSFET Transistors Si Through Hole TO-220-3
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V 50库存量
最低: 1
倍数: 1
: 50

RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT OM-1230-4
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 7 W, 7.5 V 17,000库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT DFN-16
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast Broadband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 70 W, 12.5 V 522库存量
最低: 1
倍数: 1
: 500

RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT TO-270-WB-4
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V 19,699库存量
11,000预期 2026/12/7
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT SOT-89-3
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 31 W, 13.6 V 2,033库存量
2,000在途量
最低: 1
倍数: 1
: 500

RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT TO-270-2
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V 56库存量
100预期 2026/10/19
最低: 1
倍数: 1
: 50

RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT NI-1230H-4S
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V 28库存量
最低: 1
倍数: 1
: 50

RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT OM-1230-4
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-600 MHz, 1250 W CW, 50 V 78库存量
100预期 2026/12/1
最低: 1
倍数: 1
: 50

RF MOSFET Transistors Si Screw Mount NI-1230H-4
NXP Semiconductors 桥式整流器 TEA2208T/1 1,167库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

Bridge Rectifiers
NXP Semiconductors MHT1803B
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 200MHZ TO-247-3L 277库存量
最低: 1
倍数: 1
RF MOSFET Transistors Si Through Hole TO-247-3

NXP Semiconductors GaN 场效应晶体管 Airfast RF Power GaN Transistor, 717-850 MHz, 112 W Avg., 50 V 65库存量
最低: 1
倍数: 1
: 250

GaN FETs GaN-on-Si SMD/SMT OM-780-4S4S-8
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V 48库存量
250预期 2026/12/14
最低: 1
倍数: 1
: 50

RF MOSFET Transistors Si Screw Mount NI-780-4


NXP Semiconductors GaN 场效应晶体管 Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 85 W Avg., 48 V 2库存量
最低: 1
倍数: 1
: 250

GaN FETs GaN-on-Si SMD/SMT OM-780-4S4S-8
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V 47库存量
500预期 2026/8/18
最低: 1
倍数: 1
RF MOSFET Transistors Si Through Hole TO-220-3
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V 49库存量
1,000在途量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT HVSON-16
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 31 W, 13.6 V 10库存量
3,000在途量
最低: 1
倍数: 1
: 500

RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT TO-270-2
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 7 W, 7.5 V 42库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT PLD-1.5
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 764-941 MHz, 31 W, 13.6 V 11库存量
最低: 1
倍数: 1
: 500

RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT TO-270-2
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1090 MHz, 10 W, 50 V 1库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

RF MOSFET Transistors Si Screw Mount PLD-1.5