NXP 分立半导体

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NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Single N-CDMA Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 880 MHz, 14 W Avg., 28 V
1,500预期 2026/12/7
最低: 1
倍数: 1
: 500

RF MOSFET Transistors Si Screw Mount TO-270


NXP Semiconductors GaN 场效应晶体管 Airfast RF Power GaN Transistor, 2110-2200 MHz, 85 W Avg., 48 V
208预期 2026/8/13
最低: 1
倍数: 1
: 250

GaN FETs GaN-on-Si SMD/SMT OM-780-4S4S-8
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
750预期 2026/12/21
最低: 1
倍数: 1
: 50

RF MOSFET Transistors Si Screw Mount NI-1230H-4
NXP Semiconductors AFV09P350-04NR3
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 100 W AVG., 48 V
248预期 2026/10/26
最低: 1
倍数: 1
: 250

RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT OM-780-4
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 1.8-50 MHz, 300 W CW, 50 V
237预期 2026/8/20
最低: 1
倍数: 1
RF MOSFET Transistors Si Through Hole TO-247-3
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V 无库存交货期 53 周
最低: 1
倍数: 1

RF MOSFET Transistors Si Through Hole TO-247-3
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 520 MHz, 8 W, 12.5 V
990在途量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT PLD-1.5


NXP Semiconductors GaN 场效应晶体管 Airfast RF Power GaN Transistor, 865-960 MHz, 112 W Avg., 50 V 无库存交货期 53 周
最低: 1
倍数: 1
: 250

GaN FETs GaN-on-Si SMD/SMT OM-780-4S4S-8
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V 交货期 53 周
最低: 1
倍数: 1

RF MOSFET Transistors Si Through Hole TO-247-3
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 2 W Avg., 48 V 无库存交货期 53 周
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT PQFN-24
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 764-941 MHz, 31 W, 13.6 V 无库存交货期 53 周
最低: 1
倍数: 1
: 500

RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT TO-270-2
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 960-1215 MHz, 275 W, 50 V 无库存交货期 53 周
最低: 1
倍数: 1
: 50

RF MOSFET Transistors Si Screw Mount NI-780
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 960-1215 MHz, 500 W, 50 V 无库存交货期 53 周
最低: 1
倍数: 1
: 50

RF MOSFET Transistors Si Screw Mount NI-780H-2
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V 无库存交货期 53 周
最低: 1
倍数: 1
: 50

RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT NI-1230
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V 无库存交货期 53 周
最低: 1
倍数: 1
: 150

RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT NI-1230
NXP Semiconductors MRF6VP121KHR5
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 965-1215 MHz, 1000 W, 50 V 无库存交货期 53 周
最低: 1
倍数: 1
: 50

RF MOSFET Transistors Si Screw Mount NI-1230-4