2.4 GHz to 2.5 GHz 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 17
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数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性
技术
Id-连续漏极电流
Vds-漏源极击穿电压
Rds On-漏源导通电阻
工作频率
增益
输出功率
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
封装
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC2425M10LS250/SOT1270/REELDP
数据表
69库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 100

N-Channel LDMOS 65 V 40.5 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 14.4 dB 250 W + 225 C SMD/SMT SOT1270-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 CLF24H4LS300P/SOT1214/TRAY
数据表
118库存量
最低： 1
倍数： 1

Dual N-Channel GaN SiC 50 V 2.4 GHz to 2.5 GHz 16 dB 300 W + 225 C SMD/SMT SOT1214B-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC2425M10LS500P/SOT1250/TRAYD
数据表
105库存量
最低： 1
倍数： 1

Dual N-Channel LDMOS 65 V 45.5 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 14.5 dB 500 W + 225 C SMD/SMT SOT1250-1-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC2425M9LS250/SOT1270/TRAYDP
数据表
55库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel LDMOS 65 V 52.5 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 18.5 dB 250 W + 225 C SMD/SMT SOT1270-1-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LDMOS 2-Stage Power MMIC
数据表
45库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 100

LDMOS 32 V 350 mOhms, 2.35 Ohms 2.4 GHz to 2.5 GHz 27.5 dB 60 W + 150 C SMD/SMT SOT1211-3-16 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM2425M9S20/OMP-400/TRAYDP
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 1
倍数： 1

LDMOS 65 V 350 mOhms, 2.35 Ohms 2.4 GHz to 2.5 GHz 28 dB 20 W + 150 C SMD/SMT OMP-400-8F-1-8 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP2425M10S250P/OMP-78/REELDP
数据表
82库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 100

Dual N-Channel LDMOS 65 V 95 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 15 dB 250 W + 225 C SMD/SMT OMP-780-4F-1-5 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 100
倍数： 100
: 100

N-Channel LDMOS 65 V 760 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 18.5 dB 30 W + 225 C Screw Mount SOT1135A-3 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 60
倍数： 60

N-Channel LDMOS 65 V 760 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 18.5 dB 30 W + 225 C Screw Mount SOT1135A-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 100
倍数： 100
: 100

N-Channel LDMOS 65 V 69 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 19 dB 140 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 60
倍数： 60

N-Channel LDMOS 65 V 69 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 19 dB 140 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 100
倍数： 100
: 100

N-Channel LDMOS 65 V 760 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 18.5 dB 30 W + 225 C SMD/SMT SOT1135B-3 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 1
倍数： 1

N-Channel LDMOS 65 V 760 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 18.5 dB 30 W + 225 C SMD/SMT SOT1135B-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC2425M10LS250/SOT1270/TRAYDP
数据表

N-Channel LDMOS 65 V 40.5 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 14.4 dB 250 W + 225 C SMD/SMT SOT1270-1-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC2425M10LS500P/SOT1250/REELD
数据表

N-Channel LDMOS 65 V 45.5 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 14.5 dB 500 W + 225 C SMD/SMT SOT1250-1-5 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 CLF24H4LS300P/SOT1214/REEL
数据表

Dual N-Channel GaN SiC 50 V 2.4 GHz to 2.5 GHz 16 dB 300 W + 225 C SMD/SMT SOT1214B-5 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 CLP24H4S30P/DFN-6.5X7/REEL
数据表

N-Channel GaN SiC 774 uA 150 V 2.4 GHz to 2.5 GHz 18.4 dB 30 W + 225 C SMD/SMT DFN-6 Reel