6 W GaN 场效应晶体管

结果: 5
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs th-栅源极阈值电压
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
Qorvo GaN 场效应晶体管 30MHZ-3GHz 5W 50 Ohm Gain 18dB@2GHz 32V
数据表
712库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT QFN-16 P-Channel 32 V 600 mA 7.5 W
Qorvo GaN 场效应晶体管 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB
数据表
1,318库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 1 Channel 32 V 326 mA + 225 C 8.4 W
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt
数据表
750预期 2026/9/15
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最低： 1
倍数： 1
: 250

SMD/SMT DFN-12 N-Channel 100 V 950 mA - 3 V - 40 C + 150 C
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-18GHZ 6W TQGaN25 PAE 71.6% Gain 18dB
数据表
产品评论
交货期 20 周
最低： 50
倍数： 50

Die N-Channel
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt
数据表
产品评论
无库存交货期 26 周
最低： 10
倍数： 10

SMD/SMT Die N-Channel 100 V 800 mA 2.3 Ohms - 3 V