QPD1025 GaN 场效应晶体管

结果: 3
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Vgs - 栅极-源极电压
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
最大工作频率
最小工作频率
技术
Qorvo GaN 场效应晶体管 1-1.1GHz 1800 Watt Gain 22.5dB 65V GaN
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 18
倍数： 18

Screw Mount NI-1230-4 HEMT 2 Channel 65 V 28 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 685 W 1.215 GHz 960 MHz GaN-on-SiC
Qorvo GaN 场效应晶体管 1-1.1GHz 1500 Watt Gain 22.9dB 65V
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 18
倍数： 18

SMD/SMT NI-1230-4 28 A - 40 C + 85 C 758 W GaN SiC
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-12 GHz, 10W, 32V GaN RF Tr
SMD/SMT QFN-16 N-Channel 1 Channel 100 V 610 mA - 40 C + 85 C 17.5 W GaN-on-SiC