MRF6S20010GNR1
841-MRF6S20010GNR1
MRF6S20010GNR1
制造商:
说明:
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 2GHZ 10W
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 2GHZ 10W
寿命周期:
寿命结束:
将过时且制造商将停产。
合规代码
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290055
- JPHTS:
- 8541290100
- KRHTS:
- 8541299000
- TARIC:
- 8541290000
- MXHTS:
- 85412999
- ECCN:
- EAR99
原产地分类
- 原产国:
- 美国
- 组装原产国/地区:
- 不可用
- 扩散国家:
- 不可用
库存量: 41
-
库存:
-
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