能源基础设施解决方案

安森美 (onsemi) 能源基础设施解决方案旨在解决不断发展变化的能源产生、分配和存储问题,从而达到政府政策设定的目标并满足不断增长的消费需求。能源基础设施的演变重点关注以下方面:提高效率目标、减少二氧化碳排放量以及重视可再生清洁能源。安森美提供全面的高能效解决方案,可满足各种大功率应用的苛刻要求,包括碳化硅 (SiC) 二极管、智能功率模块和电流检测放大器。

结果: 7
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 配置 If - 正向电流 Vrrm - 重复反向电压 Vf - 正向电压 Ifsm - 正向浪涌电流 Ir - 反向电流 最小工作温度 最大工作温度 系列 封装
onsemi 碳化硅肖特基二极管 SIC TO220 SBD 8A 650V 1,312库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-220-2 Single 8 A 650 V 1.5 V 49 A 200 uA - 55 C + 175 C FFSP0865A Tube
onsemi 碳化硅肖特基二极管 SIC TO220 SBD 10A 650V 745库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-220-2 Single 10 A 650 V 1.5 V 56 A 200 uA - 55 C + 175 C FFSP1065A Tube
onsemi 碳化硅肖特基二极管 SIC TO220 SBD 20A 650V 1,177库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 50

Through Hole TO-220-2 Single 20 A 650 V 1.5 V 105 A 200 uA - 55 C + 175 C FFSP2065A Tube
onsemi 碳化硅肖特基二极管 1200V SiC SBD 8A 463库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 30

Through Hole TO-220-2 Single 8 A 1.2 kV 1.45 V 68 A 200 uA - 55 C + 175 C FFSP08120A Tube
onsemi 碳化硅肖特基二极管 650V SiC SBD 30A 65库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-220-2 Single 30 A 650 V 1.5 V 150 A 200 uA - 55 C + 175 C FFSP3065A Tube
onsemi 碳化硅肖特基二极管 650V 16A SIC SBD 143库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-220-2 Single 16 A 650 V 1.5 V 90 A 200 uA - 55 C + 175 C FFSP1665A Tube

onsemi 碳化硅肖特基二极管 Silicon Carbide Schottky Diode 2,500工厂有库存
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Single 10 A 1.2 kV 1.45 V 90 A 200 uA - 55 C + 175 C FFSD10120A Reel, Cut Tape, MouseReel