IGBT功率模块

Vishay IGBT 功率模块采用沟道 PT IGBT 技术，特别适用于 TIG 焊机。这些 IGBT 结合了 Hexfred 和 Fret PT 二极管技术，符合 UL 标准。INT-A-PAK 等功能可在需要高电压和大电流的板上实现有限高度要求的设计。这些模块也用于家用电器电机驱动器、电动汽车电机驱动器、太阳能逆变器，UPS 和功率因数校正变换器等应用。
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结果: 12
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数量 RoHS ECAD模型 产品
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
在25 C的连续集电极电流
栅极—射极漏泄电流
Pd-功率耗散
封装 / 箱体
最小工作温度
最大工作温度
封装
Vishay IGBT 模块 SOT227 650V 100A LS CHOPPR
数据表
138库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules Tube
Vishay IGBT 模块 MODULES IGBT - SOT-227 IGBT
数据表
128库存量
最低： 1
倍数： 1
: 10

IGBT Modules Reel, Cut Tape
Vishay IGBT 模块 MODULES IGBT - SOT-227 IGBT
数据表
143库存量
最低： 1
倍数： 1
: 10

IGBT Modules Reel, Cut Tape
Vishay IGBT 模块 SOT227 650V 50A LS CHOPPR
数据表
147库存量
最低： 1
倍数： 1
: 10

IGBT Modules Reel, Cut Tape
Vishay IGBT 模块 MODULES IGBT - SOT-227 IGBT
数据表
125库存量
最低： 1
倍数： 1
: 10

IGBT Modules Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors IGBT 模块 MODULES IGBT - ECONO IGBT
数据表
21库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules Quad 1.2 kV 64 A 200 nA 231 W ECONO-2 - 40 C + 150 C
Vishay Semiconductors IGBT 模块 MODULES IGBT - ECONO IGBT
数据表
18库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules Quad 1.2 kV 118 A 200 nA 431 W ECONO-2 - 40 C + 150 C
Vishay Semiconductors IGBT 模块 1200V, 180A Tch IGBT SOT-227 Bplr Tnstr
数据表
503库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules Single 1.2 kV 281 A 220 nA 1.087 kW SOT-227-4 - 40 C + 150 C Tube


Vishay Semiconductors IGBT 模块 MTP - HALF BRIDGE IGBT
数据表
51库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Silicon Modules Half Bridge 1.2 kV 2.24 V 75 A 250 nA 305 W MTP - 40 C + 150 C Tube
Vishay Semiconductors IGBT 模块 1200V, 100A IGBT SOT-227 Bplr Tnstr
数据表
128库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules Single 1.2 kV 187 A 220 nA 890 W SOT-227-4 - 40 C + 150 C Tube
Vishay Semiconductors IGBT 模块 1200V, 80A Tch IGBT SOT-227 Bplr Tnstr
数据表
320库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules Single 1.2 kV 139 A 220 nA 658 W SOT-227-4 - 40 C + 150 C Tube
Vishay Semiconductors IGBT 模块 MODULES IGBT - SOT-227 IGBT
数据表
150库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules Single 600 V 123 A 250 nA 454 W SOT-27-4 - 40 C + 175 C Tube