onsemi MOSFET模块

结果: 66
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
系列
封装
onsemi MOSFET模块 APM17-MDC MV7 80V ALN
数据表
30库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole APM-17 80 V 757 uOhms - 20 V, + 20 V 2 V - 40 C + 125 C NXV08H350XT1 Tube
onsemi MOSFET模块 3-PHASE AUTOMOTIVE POWER MOSFET MODULE APM21
数据表
54库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC SMD/SMT APM-21 100 V 2.2 mOhms 4.5 V - 40 C + 175 C NXV10V160ST1 Tube
onsemi MOSFET模块 11M 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE
数据表
10库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Press Fit PIM-34 N-Channel 1.2 kV 105 A 16 mOhms - 10 V, + 22 V 2.72 V - 40 C + 175 C 244 W NXH011F120M3F2PTHG Tray
onsemi NXH007F120M3F2PTHG
onsemi MOSFET模块 7M 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE
数据表
15库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Press Fit PIM-34 N-Channel 1.2 kV 149 A - 10 V, + 22 V 2.72 V - 40 C + 175 C 353 W NXH007F120M3F2PTHG Tray
onsemi MOSFET模块 1200V 3M M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES
数据表
5库存量
80在途量
最低： 1
倍数： 1

SiC Press Fit PIM-36 1.2 kV 350 A 5.88 mohms - 10 V, + 22 V 2.4 V - 40 C + 175 C 979 W NXH003P120M3F2PTHG Tray
onsemi MOSFET模块 1200V 6MOHM M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES
数据表
1库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Press Fit PIM-36 N-Channel 1.2 kV 191 A 8 mOhms - 10 V, + 22 V 2.8 V - 40 C + 175 C 556 W NXH006P120M3F2PTHG Tray
onsemi MOSFET模块 SIC A1HPM 1200 V
数据表
1库存量
36预期 2026/11/13
最低： 1
倍数： 1
最大： 10

SiC Screw Mount AHPM-15 N-Channel 2 Channel 1.2 kV 400 A - 10 V, + 25 V 3.2 V - 40 C + 175 C 1 kW Tube
onsemi MOSFET模块 APM32 SIC POWER MODULE
数据表
27库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Through Hole APM-32 N-Channel 4 Channel 1.2 kV 31 A 116 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V - 55 C + 175 C 208 W NVXK2PR80WXT2 Tube
onsemi MOSFET模块 30M OHM 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE
数据表
8库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Screw Mount PIM-22 N-Channel 4 Channel 1.2 kV 38 A 38.5 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 150 C 100 W NXH030F120M3F1PTG Tray
onsemi MOSFET模块 30M 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE
数据表
14库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Screw Mount PIM-18 N-Channel 2 Channel 1.2 kV 42 A 38.5 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 150 C 100 W NXH030P120M3F1PTG Tray
onsemi MOSFET模块 SIC A1HPM 1200 V
数据表
6库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Screw Mount AHPM-15 N-Channel 2 Channel 1.2 kV 400 A - 10 V, + 25 V 3.2 V - 40 C + 175 C 1 kW NVVR26A120M1WST Tube
onsemi MOSFET模块 APM32 SIC H-BRIDGE POWER MODULE
数据表
34库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Through Hole APM-32 N-Channel 4 Channel 1.2 kV 27 A 59 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V - 55 C + 175 C 319 W NVXK2TR40WXT Tube
onsemi MOSFET模块 APM32 SIC H-BRIDGE POWER MODULE
数据表
48库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Through Hole APM-32 N-Channel 4 Channel 1.2 kV 20 A 116 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V - 40 C + 175 C 82 W NVXK2TR80WDT Tube
onsemi MOSFET模块 PIM F1 SIC HALFBRIDGE 900V 10MOHM
数据表
36库存量
最低： 1
倍数： 1
SiC Press Fit Module N-Channel 900 V 154 A 14 mOhms - 8 V, + 18 V - 40 C + 150 C 328 W NXH010P90MNF1 Tray

onsemi MOSFET模块 PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 20MOHM
数据表
28库存量
最低： 1
倍数： 1
SiC Press Fit Module N-Channel 1.2 kV 51 A 30 mOhms - 15 V, + 25 V 1.8 V - 40 C + 150 C 211 W NXH020P120MNF1 Tray
onsemi MOSFET模块 3-PHASE INVERTER
数据表
176库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole - 20 V, + 20 V - 40 C + 150 C NXV08V110DB1 Tube


onsemi MOSFET模块 PIM F2 6MOHM 1200V HALFBRIDGE SIC MODULE
数据表
10库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Press Fit - 15 V, + 25 V - 40 C + 150 C NXH006P120MNF2 Tray

onsemi MOSFET模块 PIM F1 SIC FULL BRIDGE 1200V 40MOHM
数据表
26库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC NXH040F120MNF1 Tray
onsemi NXV08H400XT1
onsemi MOSFET模块 APM17-MDC MV7 80V ALN
数据表
16库存量
最低： 1
倍数： 1

Si NXV08H400XT1 Tube
onsemi MOSFET模块 PIM F1 SIC HALFBRIDGE 900V 10MOHM
数据表
28库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Press Fit - 15 V, + 25 V - 40 C + 150 C NXH010P90MNF1 Tray

onsemi MOSFET模块 PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM(NI-PLATED)
数据表
23库存量
最低： 1
倍数： 1
SiC NXH010P120MNF1 Tray
onsemi NXH40B120MNQ0SNG
onsemi MOSFET模块 80KW GENII 1200V 80MOHM S
数据表
17库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC - 40 C + 150 C 118 W NXH40B120MNQ0 Tray


onsemi MOSFET模块 30KW Q1BOOST FULL SIC
数据表
6库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC - 40 C + 150 C 156 W NXH40B120MNQ1 Tray
onsemi MOSFET模块 Silicon Carbide (SiC) Module EliteSiC, 11 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, new Tim, 4-PACK Full Bridge Topology, F2 Package
数据表
20预期 2026/11/24
最低： 1
倍数： 1
最大： 2

SiC Press Fit N-Channel 4 Channel 1.2 kV 105 A 16 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 175 C 244 W Tray
onsemi MOSFET模块 Silicon Carbide (SiC) Module, 11 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, new TIM, TNPC Topology in F2 Package
数据表
20预期 2026/11/24
最低： 1
倍数： 1
最大： 2

SiC Press Fit N-Channel 4 Channel 1.2 kV 91 A 16 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 175 C 272 W Tray