Interface IC's MOSFET模块

结果: 5
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
系列
封装
Infineon Technologies MOSFET模块 EasyPACK 1C CoolSiC MOSFET M2 .XT, fourpack module 1200 V, 13 mOhm with NTC temperature sensor, pre-applied thermal interface material 2.0 and high current PressFIT contact technology
数据表
30库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Press Fit 1.2 kV 60 A 25.2 mOhms - 10 V, + 25 V 4.3 V - 40 C + 175 C 20 mW EasyPACK C series Tray
Infineon Technologies MOSFET模块 EasyPACK 2C CoolSiC MOSFET M2 .XT, fourpack module 1200 V, 8 mOhm with NTC temperature sensor, pre-applied thermal interface material 2.0 and high current PressFIT contact technology
数据表
15库存量
18预期 2026/8/27
最低： 1
倍数： 1

SiC Press Fit 1.2 kV 100 A 16.8 mOhms - 10 V, + 25 V 4.3 V - 40 C + 175 C 20 mW EasyPACK C series Tray
Infineon Technologies MOSFET模块 EasyPACK 2C CoolSiC MOSFET M2 .XT, 3-level module 1200 V, 8 mOhm with NTC temperature sensor, pre-applied thermal interface material 2.0 and high current PressFIT contact technology
数据表
16库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Press Fit 1.2 kV 95 A 16.8 mOhms - 10 V, + 25 V 4.3 V - 40 C + 175 C 20 mW EasyPACK C series Tray
Infineon Technologies MOSFET模块 62 mm C-Series module with CoolSiC Trench MOSFET and pre-applied thermal interface material
数据表
2库存量
16预期 2026/9/4
最低： 1
倍数： 1

Si 62 mm C-Series Tray
Infineon Technologies MOSFET模块 62 mm C-Series module with CoolSiC Trench MOSFET and pre-applied thermal interface material
数据表
1库存量
最低： 1
倍数： 1

Si 62 mm C-Series Tray