Advanced Linear Devices MOSFET

结果: 109
选择 图像 零件编号
 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装

Advanced Linear Devices MOSFET Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.00V
数据表
5库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 2.02 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.10V
数据表
4库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.12 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices MOSFET Dual SAB MOSFET ARRAY VT=1.70V
数据表
47库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 1.72 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices MOSFET Dual SAB MOSFET ARRAY VT=1.70V
数据表
176库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 1.72 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad MOSFET ARRAY Vt=2.30V
数据表
450预期 2026/9/10
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.32 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube
Advanced Linear Devices MOSFET Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.50V
数据表
1,785在途量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.52 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices MOSFET Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.70V
数据表
交货期 17 周
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.72 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad N-Channel Array
数据表
99预期 2026/9/4
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole PDIP-14 N-Channel 4 Channel 12 V 4.8 mA 350 Ohms - 12 V, 12 V 400 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch
数据表
43预期 2026/9/25
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole PDIP-8 N-Channel 2 Channel 10 V 12 mA 500 Ohms, 500 Ohms - 12 V, 12 V 0 V 0 C + 70 C 500 mW Depletion Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad MOSFET ARRAY Vt=2.60V
数据表
50预期 2026/8/31
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.62 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
数据表
50在途量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole PDIP-8 N-Channel 2 Channel 10 V 79 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 180 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube
Advanced Linear Devices MOSFET Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
数据表
无库存交货期 6 周
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10 V 79 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 180 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad SAB MOSFET ARRAY VT=1.70V
数据表
无库存交货期 10 周
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 1.72 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad MOSFET ARRAY Vt=2.40V
数据表
无库存交货期 6 周
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.42 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.70V
数据表
无库存交货期 10 周
最低： 50
倍数： 50

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA - 12 V, 12 V 2.72 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices MOSFET Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.20V
数据表
无库存交货期 4 周
最低： 50
倍数： 50

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 2.22 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFET PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY
数据表
无库存
最低： 50
倍数： 50

Si Through Hole PDIP-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 20 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFET PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY
数据表
无库存
最低： 50
倍数： 50

Si Through Hole PDIP-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 20 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFET PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY
数据表
无库存
最低： 50
倍数： 50

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10 V 70 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 20 mV 0 C + 70 C 500 mW Depletion Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
数据表
无库存
最低： 50
倍数： 50

Si Through Hole PDIP-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 220 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
数据表
无库存
最低： 50
倍数： 50

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 220 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
数据表
无库存
最低： 50
倍数： 50

Si Through Hole PDIP-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 420 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
数据表
无库存
最低： 50
倍数： 50

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 420 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
数据表
无库存
最低： 50
倍数： 50

Si Through Hole PDIP-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 820 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
数据表
无库存
最低： 50
倍数： 50

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 820 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube