电动汽车交流充电器

虽然从本质上说，交流充电站比直流充电器更简单，但交流充电站可以安全地将来自电网的交流电输送到车辆中。由于车辆的空间和重量限制，车载充电器和交流充电站通常功率较低（22kW或更低），因此充电速度较慢，甚至需要花费数小时。这些系统还依赖于车辆的车载充电器，以便将来自电网的交流电转换为直流电，从而为车辆电池充电。需要采取适当措施保护充电器和车辆，这一点至关重要。

结果: 40
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
IXYS MOSFET 102 Amps 300V 0.033 Rds
数据表
340库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 102 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 224 nC - 55 C + 150 C 700 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET 120 Amps 250V 0.024 Rds
数据表
1,135库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 250 V 120 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 185 nC - 55 C + 175 C 700 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds
数据表
673库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 100 V 200 A 7.5 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 240 nC - 55 C + 175 C 800 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET 82 Amps 250V 0.035 Rds
数据表
270库存量
30预期 2026/8/19
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 250 V 82 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 142 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET 36 Amps 300V 0.11 Rds
数据表
4,046库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 300 V 36 A 110 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 70 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET 140 Amps 100V 0.011 Rds
数据表
328库存量
最低： 1
倍数： 1
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 100 V 140 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 155 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET 62 Amps 150V 0.04 Rds
数据表
270库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 150 V 62 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 5.5 V 70 nC - 55 C + 175 C 350 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET 42 Amps 250V 0.084 Rds
数据表
287库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 250 V 42 A 84 mOhms - 20 V, 20 V 5.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET 180 Amps 150V 0.01 Ohm Rds
数据表
1,847库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 150 V 180 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 240 nC - 55 C + 175 C 800 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET 82 Amps 250V 0.035 Rds
数据表
330库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 250 V 82 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 142 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement PolarHT Tube

IXYS MOSFET N Ch Dep Mode FET 250V
数据表
5,314库存量
81,000预期 2026/10/26
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

Si SMD/SMT SOT-89-3 N-Channel 1 Channel 250 V 360 mA 4 Ohms - 15 V, 15 V - 55 C + 125 C 1.1 W Depletion Clare Reel, Cut Tape, MouseReel
IXYS MOSFET 50 Amps 200V 0.06 Rds
数据表
266库存量
最低： 1
倍数： 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 50 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 70 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET 75 Amps 100V 0.025 Rds
数据表
289库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 75 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 5.5 V 74 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET 110 Amps 100V 0.015 Rds
数据表
69库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 100 V 110 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 110 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET 50 Amps 200V 0.06 Rds
数据表
164库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 200 V 50 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 70 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET 75 Amps 100V 0.025 Rds
数据表
148库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 100 V 75 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 5.5 V 74 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET 120 Amps 150V 0.016 Rds
数据表
12库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 150 V 120 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 150 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds
数据表
1,974预期 2026/9/29
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 300 V 88 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 180 nC - 55 C + 150 C 600 W Enhancement PolarHT Tube

IXYS MOSFET 96 Amps 200V 0.024 Rds
数据表
505预期 2026/11/2
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 96 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 145 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET 100 Amps 250V 0.027 Rds
数据表
304在途量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 250 V 100 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 185 nC - 55 C + 150 C 600 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET 120 Amps 200V 0.022 Rds
数据表
330工厂有库存
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 200 V 120 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 152 nC - 55 C + 175 C 714 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET 140 Amps 100V 0.011 Rds
数据表
630工厂有库存
更多信息可用
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 100 V 140 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 155 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET 96 Amps 150V 0.024 Rds
数据表
360工厂有库存
更多信息可用
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 150 V 96 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 110 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET 150 Amps 150V 0.013 Rds
数据表
交货期 20 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 150 V 150 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 190 nC - 55 C + 175 C 714 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET POLAR HT MOSFET 150V 120A
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 150 V 120 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 150 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement PolarHT Tube