分立式固态硬盘 (SSD) 解决方案

Toshiba 分立式固态硬盘 (SSD) 解决方案包括各种产品系列,采用瞬态电压抑制器 (TVS)、肖特基势垒二极管 (SBD)、低压差 (LDO) 稳压器、负载开关IC和新型功能强大的电子保险丝IC,可满足最新要求。这些SSD 可以比传统硬盘驱动器 (HDD) 更快地解析数据。随着SSD技术的改进,它将需要能够满足日益严格的电源需求的电源电路,以及保护功能,确保重要数据安全,无故障。 Toshiba提供各种负载开关和MOSFET,用于控制电源输入、保护IC和设计用于在热插拔期间处理异常输入电源情况和过压浪涌的二极管。

结果: 7
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格 商标名 封装
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET Vdss= -12V, ID= -6A 279,008库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23F P-Channel 1 Channel 12 V 6 A 17.6 mOhms - 8 V, 8 V 300 mV + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=-.25A VDSS=-20V 12,204库存量
48,000预期 2026/8/21
最低: 1
倍数: 1
: 8,000

Si SMD/SMT SOT-723-3 P-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 1.1 Ohms - 10 V, 10 V 1 V - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V 326库存量
72,000预期 2026/8/28
最低: 1
倍数: 1
: 8,000

Si SMD/SMT VESM-3 N-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 1.1 Ohms - 10 V, 10 V 1 V 340 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET SM Sig P-CH MOS ID -6A -20V -8 VGSS 9,089库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Si SMD/SMT UDFN6B-6 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 60.5 mOhms - 8 V, 8 V 1 W U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P-Ch SSM -5A -20V 12V VGSS 0.035Ohm 214库存量
3,000预期 2026/12/14
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Si SMD/SMT WCSP6C-6 P-Channel 2 Channel 20 V 5 A 26 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 9.8 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-Ch U-MOSVI FET ID 4A 30VDSS 200pF
49,490预期 2026/8/21
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Si N-Channel 1 Channel U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET
11,976预期 2026/9/4
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 30 V 9 A 26 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 4.8 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel