EMD4DXV6数字晶体管（BRT）

安森美 (onsemi) EMD4DXV6 数字晶体管 (BRT) 旨在替代单个设备 及其外部电阻器偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）将单个晶体管与由两个电阻器组成的单片式偏置网络集成在一起，其中两个电阻分别为串联基极电阻和基极-发射极电阻。这些BRT将独立元件集成至单个器件中，从而省去了这些元件。EMD4DXV6晶体管具有50VDC 集电极-基极电压、50VDC集电极-发射极电压和100mADC集电极电流。该系列晶体管支持-55°C至+150°C的结温和存放温度范围。

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 配置
晶体管极性
典型输入电阻器
典型电阻器比率
安装风格
封装 / 箱体
直流集电极/Base Gain hfe Min
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极连续电流
峰值直流集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
onsemi 数字晶体管 Dual Complementary NPN & PNP Digital
数据表
6,536库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 4,000

Dual NPN, PNP 47 kOhms 1, 0.21 SMD/SMT SOT-553-5 80 50 V 100 mA 100 mA 357 mW - 55 C + 150 C EMD4DXV6 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi 数字晶体管 Complementary Bipolar Digital Transistor (BRT)
数据表
4,000预期 2027/8/16
最低： 1
倍数： 1
最大： 400
: 4,000

Dual NPN, PNP 10 kOhms 0.21 SMD/SMT SOT-563-6 80 50 V 100 mA 357 mW - 55 C + 150 C EMD4DXV6 Reel, Cut Tape