结果: 12
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 900V 1.9A N-CH MOSFET 1,908库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 1.9 A 3.7 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 78 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 600V 5.5A N-CH MOSFET 5,128库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 5.5 A 750 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 49 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 800V 1.4A N-CH MOSFET 1,953库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 1.4 A 6.5 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 38 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 600V 1.7A N-CH 789库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 500V 6.6A N-CH MOSFET 1,813库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 6.6 A 520 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 52 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO252 600V 2A N-CH 3,226库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 2 A 4.4 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 18 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO252 600V 2A N-CH MOSFET 8,914库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 2,000
: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 2 A 4.4 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 18 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 600V 2.0 Amp 412库存量
3,000预期 2026/8/21
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 2 A 4.4 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 18 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 900V 1.2A N-CH MOSFET 304库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 1.2 A 8 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 38 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 800V 2.1A N-CH MOSFET
1,000预期 2026/8/17
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2.1 A 3 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 78 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET MOSFET N-CHANNEL 600V 无库存
最低: 1,000
倍数: 1,000

Si Tube
Vishay Semiconductors MOSFET MOSFET N-CHANNEL 600V 无库存
最低: 3,000
倍数: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 2 A 4.4 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 18 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Reel