PNP低饱和晶体管

Diodes Incorporated PNP低饱和晶体管符合AEC-Q100/101/200标准。这些低饱和晶体管具有PPAP功能，其制造工厂通过IATF 16949认证。PNP晶体管的标称封装高度为0.6mm，采用U-DFN2020-3封装。这些低饱和晶体管提供的静态正向电流传输比 (hFE)高达-3A/-5V/-6A，用于保持大电流增益。典型应用包括直流-直流转换器、充电电路、电机控制和电源开关。

结果: 4
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
配置
最大直流电集电极电流
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—基极电压 VCBO
发射极 - 基极电压 VEBO
集电极—射极饱和电压
Pd-功率耗散
增益带宽产品fT
最小工作温度
最大工作温度
封装
Diodes Incorporated 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K
数据表
13,835库存量
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最低： 1
倍数： 1
: 3,000

Si SMD/SMT U-DFN2020-3 PNP Single 6 A 20 V 20 V 7 V 235 mV 690 mW 140 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K
数据表
51库存量
3,000预期 2026/8/19
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最低： 1
倍数： 1
: 3,000

Si SMD/SMT U-DFN2020-3 PNP Single 2 A 100 V 100 V 7 V 125 mV 690 mW 135 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K
数据表
9,000工厂有库存
更多信息可用
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最低： 1
倍数： 1
: 3,000

Si SMD/SMT U-DFN2020-3 PNP Single 4.8 A 40 V 40 V 7 V 115 mV 690 mW 135 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K
数据表
45,000工厂有库存
更多信息可用
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最低： 1
倍数： 1
: 3,000

Si SMD/SMT U-DFN2020-3 PNP Single 4 A 60 V 60 V 7 V 155 mV 690 mW 130 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel