80V N沟道U-MOS X-H MOSFET

Toshiba 80V N沟道U-MOS X-H MOSFET提供高速开关、低栅极电荷和低功耗。U-MOS X-H MOSFET提供出色的漏源导通电阻 (RDS(ON) x) 传输电阻 x 输入电容 (Ciss)值，从而实现高导电性和低栅极驱动器损耗。减小的输出电容(COSS)降低了输出电荷(Q OSS)，从而提高了这些器件的开关效率。这些MOSFET适用于开关稳压器、电机驱动器和高效DC-DC转换器。

结果: 11
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
Toshiba MOSFET UMOS10 TO-220AB 80V 2.4mohm
数据表
894库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 2.44 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 178 nC + 175 C 300 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET UMOS10 TO-220AB 80V 5.3mohm
数据表
5,564库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 5.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 55 nC + 175 C 150 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET UMOS10 TO-220SIS 80V 5.1mohm
数据表
193库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 80 V 70 A 5.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 54 nC + 175 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET UMOS10 TO-220SIS 80V 6.8mohm
数据表
378库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 80 V 58 A 6.8 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 39 nC + 175 C 41 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET UMOS10 TO-220AB 80V 7mohm
数据表
435库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 64 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 39 nC + 175 C 87 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET UMOS10 DPAK 80V 5.1mohm
数据表
4,935预期 2026/11/16
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-2 (TO-252-2) N-Channel 1 Channel 80 V 84 A 5.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 56 nC + 175 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET UMOS10 DPAK 80V 6.9mohm
数据表
9,979预期 2026/8/14
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-2 (TO-252-2) N-Channel 1 Channel 80 V 62 A 6.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 39 nC + 175 C 89 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 100V U-MOS X-H SOP-Advance(N) 3.1mohm
数据表
10,000预期 2026/12/14
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 5,000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 83 nC - 55 C + 175 C 210 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET UMOS10 TO-220SIS 80V 3.2mohm
数据表
50预期 2026/11/4
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 80 V 92 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 102 nC + 175 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET UMOS10 TO-220AB 80V 3.3mohm
数据表
900预期 2027/1/19
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 110 nC + 175 C 230 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET UMOS10 TO-220SIS 80V 2.4mohm
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 80 V 100 A 2.44 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 179 nC + 175 C 47 W Enhancement Tube