6 GHz GaN 场效应晶体管

结果: 32
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数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 15 Watt
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无库存交货期 26 周
最低： 100
倍数： 10

SMD/SMT Die N-Channel 120 V 1.5 A 1 Ohms - 3 V
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt
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无库存交货期 26 周
最低： 10
倍数： 10

SMD/SMT Die N-Channel 2 Channel 120 V 3 A 500 mOhms - 3 V
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt
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无库存交货期 26 周
最低： 50
倍数： 10

SMD/SMT Die N-Channel 2 Channel 50 V 3.2 A
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 60 Watt
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SMD/SMT Die N-Channel 4 Channel 120 V 6 A 250 mOhms - 3 V
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 75 Watt
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SMD/SMT Die N-Channel 150 V 10 A 280 mOhms - 10 V, 2 V 41.6 W
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 120 Watt
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SMD/SMT Die N-Channel 8 Channel 120 V 12 A 100 mOhms - 3 V
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 170 Watt
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SMD/SMT Die N-Channel 8 Channel 50 V 12.6 A