MOSYS MOSFET

结果: 109
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格 商标名 封装
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 3.5A 550V 80W 380pF 2.45 无库存
最低: 2,000
倍数: 2,000
: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 550 V 3.5 A 2.45 Ohms 80 W MOSVII Reel
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 5A 525V 80W 540pF 1.5Ohm 无库存
最低: 2,000
倍数: 2,000
: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 525 V 5 A 1.5 Ohms 80 W MOSVII Reel
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 6A 525V 100W 600pF 1.3 Ohm 无库存
最低: 2,000
倍数: 2,000
: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 525 V 6 A 1.3 Ohms 100 W MOSVII Reel
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 2A 600V 60W 280pF 4.3 Ohm 无库存交货期 16 周
最低: 1
倍数: 1
: 200

Si Through Hole PW-Mold2-3 N-Channel 1 Channel 600 V 2 A 4.3 Ohms - 30 V, 30 V 2.4 V 7 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement MOSVII Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 4A 500V 80W 380pF 2 Ohm 无库存
最低: 2,000
倍数: 2,000
: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 4 A 2 Ohms 80 W MOSVII Reel
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 4.5A 650V 35W 700pF 1.67 Ohm 无库存交货期 24 周
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 5 A 1.67 Ohms - 30 V, 30 V 2.4 V 16 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba MOSFET Sm-signal/Hi-Speed USM (SOT-323) 763库存量
最低: 1
倍数: 1

Si SMD/SMT USM-3 P-Channel 1 Channel 30 V 200 mA 2.7 Ohms - 20 V, 20 V 1.8 V + 150 C 150 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 15A 600V 50W 2600pF 0.37 123库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 370 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 45 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch FET 600V 2.5s IDSS 10 uA 69库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 4 A 1.7 Ohms - 30 V, 30 V 2.4 V 12 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MOSVII Tube