1043 MOSFET

结果: 3
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Vishay / Siliconix MOSFET TO252 100V 37.1A P-CH MOSFET
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 100 V 37.1 A 43 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 54 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET 100V 37A 136W 43mohm @ 10V
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 100 V 37.1 A 43 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 106 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET 100V 37A P-Channel
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11,646在途量
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最低： 1
倍数： 1
最大： 2,000
: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 100 V 36.4 A 43 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 106 nC - 55 C + 150 C 113.6 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel