KEC 碳化硅MOSFET

结果: 5
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO247 1.2KV 26A N-CH SIC
数据表
701库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247N-3 1 Channel 1.2 kV 26 A 81 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 64 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO247 1.2KV 81A N-CH SIC
数据表
521库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247N-3 1 Channel 1.2 kV 81 A 23.4 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 312 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO247 1.2KV 43A N-CH SIC
数据表
454库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247N-3 1 Channel 1.2 kV 43 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 91 nC + 175 C 176 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET 1200V, 32A, 3-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET
数据表
440库存量
最低： 1
倍数： 1
Through Hole TO-247N-3 1 Channel 1.2 kV 32 A 65 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 71 nC + 175 C 136 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 1200V, 19A, 3-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET
数据表
440库存量
最低： 1
倍数： 1
Through Hole TO-247N-3 1 Channel 1.2 kV 19 A 117 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 48 nC + 175 C 88 W Enhancement