MIFLEX 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

结果: 9
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 封装 / 箱体 安装风格 配置 集电极—发射极最大电压 VCEO 集电极—射极饱和电压 栅极/发射极最大电压 在25 C的连续集电极电流 Pd-功率耗散 最小工作温度 最大工作温度 系列 封装
Bourns 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Discrete 600V, 5A in TO-252 24,157库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

Si TO-252-3 SMD/SMT Single 600 V 1.5 V - 30 V, 30 V 10 A 82 W - 55 C + 150 C BID Reel, Cut Tape, MouseReel
Bourns 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Discrete 650V, 75A, High speed switching in TO-247-3L 5,809库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V 20 V 150 A 394 W - 40 C + 175 C BID Tube
Bourns 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Discrete 650V, 40A, Medium speed switching in TO-247-3L 2,780库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V 20 V 80 A 230 W - 40 C + 175 C BID Tube
Bourns 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Discrete 650V, 40A, High speed switching in TO-247-3L 2,967库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V 20 V 80 A 300 W - 40 C + 175 C BID Tube
Bourns 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Discrete 650V, 75A, Medium speed switching in TO-247-3L 2,773库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.42 V 20 V 150 A 394 W - 40 C + 175 C BID Tube
Bourns 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247 9库存量
4,200预期 2027/2/3
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 100 A 416 W - 55 C + 150 C BID Tube
Bourns 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247 40库存量
3,600预期 2027/1/21
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.65 V - 20 V, 20 V 60 A 230 W - 55 C + 150 C BID Tube
Bourns 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247N 257库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 600 V 1.65 V - 20 V, 20 V 60 A 230 W - 55 C + 150 C BID Tube
Bourns 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Discrete 600V, 20A in TO-247 4,800库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.7 V - 20 V, 20 V 40 A 192 W - 55 C + 150 C BID Tube