绝缘栅双极晶体管(IGBT)

 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
IGBT晶体管(IGBT Transistor),应有尽有。Mouser Electronics(贸泽电子)是众多IGBT晶体管原厂的授权代理商,提供多家业界知名制造商的IGBT晶体管,包括Infineon、IXYS、ON Semiconductor, STMicroelectronics、Vishay等。想了解更多IGBT晶体管产品,请浏览下列产品分类。
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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 封装 / 箱体 安装风格 配置 集电极—发射极最大电压 VCEO 集电极—射极饱和电压 栅极/发射极最大电压 在25 C的连续集电极电流 Pd-功率耗散 最小工作温度 最大工作温度 系列 资格 封装

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2 7,492库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 60
Si TO-247 Through Hole Single 600 V 1.9 V - 20 V, 20 V 120 A 600 W - 55 C + 175 C FGH60N60SMD Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package 7,800库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 76 A 230.8 W - 40 C + 175 C IGBT7 T7 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT 600V IGBT 300A 684库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-PLUS-3 Through Hole Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 550 A 2.3 kW - 55 C + 175 C IXXX300N60 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 1200V 85A XPT 1,352库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 300 A 1.15 kW - 55 C + 175 C Trench Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247 1,403库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 340 A 1.36 kW - 55 C + 175 C 1200V XPTTM Gen 4 Tube
Toshiba 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1350V DISCRETE IGBT TRANS 3,281库存量
最低: 1
倍数: 1
: 30

Si Through Hole Single 1.35 kV 2.15 V - 25 V, 25 V 60 A 348 W - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT 1200V 75A UFS 399库存量
最低: 1
倍数: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V - 20 V, 20 V 150 A 790 W - 55 C + 175 C FGY75T120SQDN Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 50A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-263 58库存量
300预期 2027/1/18
最低: 1
倍数: 1

Si TO-263AB-2 SMD/SMT Single 650 V 1.67 V 20 V 110 A 650 W - 55 C + 175 C Trench Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, 650 V, 50 A soft switching IH series in a TO-247 lo 983库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.5 V - 20 V, 20 V 100 A 300 W - 55 C + 175 C HB2 Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT 1,086库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Max247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 100 A 535 W - 55 C + 175 C M Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PRODUCTS 1,425库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 80 A 270 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) INDUSTRY 1,270库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 74 A 250 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT w/ INTG DIODE 600V 30A 19,410库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

Si TO-252-3 SMD/SMT Single 600 V 1.65 V - 20 V, 20 V 30 A 250 W - 40 C + 175 C Trenchstop RC Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) INDUSTRY 448库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-3-46 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 150 A 880 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT6 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 32 Amps 1700 V 5 V Rds 901库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.7 kV 4.2 V - 20 V, 20 V 16 A 190 W - 55 C + 150 C IXGH16N170 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 12 Amps 1700 V 7 V Rds 172库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.7 kV 7 V - 20 V, 20 V 6 A 75 W - 55 C + 150 C IXGH6N170 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A 468库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-220AB-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 40 A 180 W - 55 C + 150 C IXGP20N120 Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 15A, FRD Built-in, Field Stop Trench IGBT 487库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V 30 V 30 A 267 W - 40 C + 175 C Tube
onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS3 IGBT 650V/100A AND AUTO STEALTH DIODE 1,771库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-3LD Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 120 A 660 W - 55 C + 175 C AFGY100T65SPD Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V/170A XPT C3-Class TO-247 172库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 650 V 2.3 V - 20 V, 20 V 170 A 750 W - 55 C + 175 C IXYH75N65 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO264 1200V 110A GENX4 84库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 375 A 1.36 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 100A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-247AD 70库存量
300预期 2027/1/18
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.68 V 20 V 230 A 750 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 55A, XPT Gen5 B5 IGBT in TO-263 77库存量
300预期 2027/1/18
最低: 1
倍数: 1

Si TO-263-2L SMD/SMT Single 650 V 1.3 V 20 V 122 A 395 W - 55 C + 175 C Trench Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 1350 V, 25 A, soft-switching IH2 series IGBT 545库存量
最低: 1
倍数: 1

Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package 438库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 208 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube