绝缘栅双极晶体管(IGBT)

绝缘栅双极晶体管(IGBT)
IGBT晶体管（IGBT Transistor），应有尽有。Mouser Electronics（贸泽电子）是众多IGBT晶体管原厂的授权代理商，提供多家业界知名制造商的IGBT晶体管，包括Infineon、IXYS、ON Semiconductor, STMicroelectronics、Vishay等。想了解更多IGBT晶体管产品，请浏览下列产品分类。
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
资格
封装
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) High-Speed Switching Type, 650V 50A, FRD Built-in, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
数据表
415库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V 30 V 35 A 72 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
数据表
846库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 33 A 76 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
数据表
602库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.5 V - 30 V, 30 V 60 A 194 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 2s Short-Circuit Tolerance, 650V 23A, FRD Built-in, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
数据表
445库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 39 A 85 W - 40 C + 175 C Tube
Microchip Technology APT54GA60B
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PT MOS 8 Single 600 V 54 A TO-247
数据表
66库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole Single 600 V 2 V - 30 V, 30 V 96 A 416 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology APT35GA90B
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PT MOS 8 Single 900 V 35 A TO-247
数据表
29库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole Single 900 V 2.5 V - 30 V, 30 V 63 A 290 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology APT30GN60BG
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Single 600 V 30 A TO-247
数据表
152库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole Single 600 V 1.5 V - 30 V, 30 V 63 A 203 W - 55 C + 175 C Tube
Microchip Technology APT50GR120L
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT MOS 8 1200 V 50 A TO-264
数据表
14库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.5 V 30 V 117 A 694 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology APT95GR65B2
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT MOS 8 650 V 95 A TO-247 MAX
数据表
81库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 2.6 V - 30 V, 30 V 208 A 892 W - 55 C + 150 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 50A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive
数据表
产品评论
432库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V 30 V 88 A 326 W - 40 C + 175 C AEC-Q101 Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 40A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive
数据表
产品评论
673库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V 30 V 73 A 272 W - 40 C + 175 C AEC-Q101 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) HOME APPLIANCES
数据表
466库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3-32 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 85 A 205 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 60A Field Stop Trench IGBT
数据表
429库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.5 V - 30 V, 30 V 111 A 319 W - 40 C + 175 C Tube
Microchip Technology APT15GN120BDQ1G
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 1200 V 15 A TO-247
数据表
6库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V - 20 V, 20 V 45 A 195 W - 55 C + 150 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, Automotive Field Stop Trench IGBT
数据表
427库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 2.15 V 30 V 114 A 404 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 650V 20A TRNCH
数据表
588库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V 30 V 40 A 144 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 40A Field Stop Trench IGBT
数据表
886库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V - 30 V, 30 V 78 A 234 W - 40 C + 175 C Tube
Microchip Technology APT75GN60BG
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Single 600 V 75 A TO-247
数据表
218库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole Single 600 V 1.45 V - 30 V, 30 V 155 A 536 W - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
数据表
2,258库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220FP-3 Through Hole Single 600 V 1.5 V - 20 V, 20 V 10 A 24 W - 55 C + 175 C STGF5H60DF Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 15A, FRD Built-in, LPDL, Field Stop Trench IGBT
数据表
974库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

Si TO-263-3 SMD/SMT Single 650 V 2.1 V 30 V 30 A 133 W - 40 C + 175 C Reel, Cut Tape
Microchip Technology APT25GP90BDQ1G
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PT MOS 7 Combi 900 V 25 A TO-247
数据表
106库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole Single 900 V 3.2 V - 30 V, 30 V 72 A 417 W - 55 C + 150 C Tube
onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS4 70A HIGH SPEED CO-PACK WITH SIC DIODE 20A GEN1.5
数据表
720库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 80
: 800

SiC D2PAK-7 SMD/SMT Single 1.54 V 20 V 75 A 617 W - 55 C + 175 C AFGBG70T65SQDC Reel, Cut Tape
onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS7 1200V 60A SCR IGBT TO247 4L IGBT STAND-ALONE (LOW COST)
数据表
448库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 45

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.66 V 30 V 73 A 289 W - 55 C + 175 C AFGH4L60T120RW-STD Tube
onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS7 1200V 60A SCR IGBT TO247 4L COPACK (LOW COST)
数据表
435库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 45

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.68 V 30 V 73 A 287 W - 55 C + 175 C AFGH4L60T120RWD-STD Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) SGL IGBT 1200V, 80A
数据表
69库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV 2 V - 20 V, 20 V 75 A 360 W - 55 C + 150 C IXGH40N120 Tube